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KL4N26 DIP6晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL4N26由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N2X系列:4N25、4N26、

4N26 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL4N25 DIP6晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL4N25由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N2X系列:4N25、4N26、

4N25 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL3H7L SSOP4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL3H7L型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中.产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7L SSOP4 晶体管光耦产品规格书 3H7L
KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦(高温特规)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL3H7HT型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦高温特规产品规格书
KL3H7 SSOP4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL3H7光耦合器由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中.产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)C

KL3H7 SSOP4 晶体管光耦产品规格书
KL3H4 SSOP4 晶体管光耦(AC交流)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL3H4光耦合器由两个反向并联的红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装的器件。产品特点•电流转换率CTR:Min.20%atIF=±1mA,VCE=5V•输入与输出间高

KL3H4 SSOP4 晶体管光耦 ac 交流产品规格书
genesis2000 1.0版本软件

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时间：2024.08.23

上传者：何艳球

genesis20001.0版本软件,可用来处理GERBER资料，DFM检查等

genesis2000 软件 fpc FPC透明板
中国机械设计大典之第1卷-现代机械设计方法

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时间：2024.04.08

上传者：毛成华

中国机械设计大典由江西科学出版社提供，经典书籍扫描版提供给大家学习中国机械设计大典之第1卷-现代机械设计方法

中国机械设计大典 1卷现代机械设计方法
PCB设计与工艺流程讲解

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时间：2024.01.22

上传者：用户3903692

PCB设计规范PCB工艺流程讲解

pcb 设计工艺流程讲解
【精简版】2023-Mini-LED背光调研白皮书

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时间：2024.01.08

上传者：行家说Display

近日，行家说《2023MiniLED背光调研白皮书》正式发布。为感谢各界的支持，行家说上线精简版《2023MiniLED背光调研白皮书》。《2023MiniLED背光调研白皮书》由行家说Researc

精简版 2023MiniLED 背光调研白皮书
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
【BSS84-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：BSS84-7-F丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-0.5A-RDS(ON)：3000mΩ@10V，3680mΩ@4.5V-门源电压范

BSS847F VBsemi sot23 mos datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封

CED12N10 VBsemi TO251 mos datasheet
【AO4407A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：AO4407A丝印：VBA2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.

AO4407A VBsemi SOP8 mos datasheet
【IRF7240TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF7240TRPBF丝印：VBA2412品牌：VBsemi参数：P沟道,-40V,-11A,RDS(ON),13mΩ@10V,17mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.7Vth(V)；S

IRF7240TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet