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【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
【AO3419-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：AO3419 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-20V -额定电流：-4A -RDS(O

AO3419 VBsemi sot23 mos datasheet
【MDS9754URH-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：MDS9754URH丝印：VBA5325品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±30V-最大电流：9A/-6A-导通电阻：15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ

MDS9754URH NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【DMN3024LSD-13-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：DMN3024LSD-13 丝印：VBA3316 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个N沟道 -额定电压：30V -额定电流：8.5A&n

DMN3024LSD13 VBsemi SOP8 mos datasheet
【BSN20-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：BSN20丝印：VB162K品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：2

BSN20 VBsemi sot23 mos datasheet
【NDT3055L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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NDT3055L详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-导通电阻：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.53Vth(V)-封装类型：

NDT3055L VBsemi SOT223 mos datasheet
【NTR4171PT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：NTR4171PT1G 丝印：VB2355 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-30V -额定电流：-5.6A

NTR4171PT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2324DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2324DS-T1-GE3丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5

SI2324DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【FDC5661N-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：S

FDC5661N VBsemi sot236 mos datasheet
【AO4800-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：AO4800 丝印：VBA3328 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.8A（最大值）、6.0

AO4800 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AOD444-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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AOD444详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：2Vth(V)-封装类型：TO25

AOD444 VBsemi TO252 mos datasheet
【SI2308DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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名称：SI2308DS-T1-GE3 型号：VB1695 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-RDS(ON)：85mΩ@10V

SI2308DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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名称：APM2301CAC-TRL 型号：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.

APM2301CACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【NTR4501NT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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名称：NTR4501NT1G 型号：VB1240 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-RDS(ON)：24mΩ@4.5V，33

NTR4501NT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：参数说明：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57m

APM2317ACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【SiA400EDJ-T1-GE3-VB】N沟道DFN6(2X2)封装MOS管Datasheet

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SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：30V-最大漏极电流：5.8A-导通时的电阻（RDS(ON)）：22mΩ@10V,28mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SiA400EDJT1GE3 VBsemi DFN62X2 mos datasheet