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KL4N36 DIP6 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL4N36系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4

4N36 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL4N35 DIP6 晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL4N35系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N3X系列:4N35、4

4N35 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL4N25 DIP6晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL4N25由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfeatures•4N2X系列:4N25、4N26、

4N25 DIP6 晶体管光耦产品规格书
KL3H7L SSOP4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3H7L型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中.产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7L SSOP4 晶体管光耦产品规格书 3H7L
KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦(高温特规)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3H7HT型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦高温特规产品规格书
KL3H4 SSOP4 晶体管光耦(AC交流)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL3H4光耦合器由两个反向并联的红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装的器件。产品特点•电流转换率CTR:Min.20%atIF=±1mA,VCE=5V•输入与输出间高

KL3H4 SSOP4 晶体管光耦 ac 交流产品规格书
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
【BSS84-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：BSS84-7-F丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-0.5A-RDS(ON)：3000mΩ@10V，3680mΩ@4.5V-门源电压范

BSS847F VBsemi sot23 mos datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封

CED12N10 VBsemi TO251 mos datasheet
【AO4407A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：AO4407A丝印：VBA2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.

AO4407A VBsemi SOP8 mos datasheet
【IRF7240TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：IRF7240TRPBF丝印：VBA2412品牌：VBsemi参数：P沟道,-40V,-11A,RDS(ON),13mΩ@10V,17mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.7Vth(V)；S

IRF7240TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【NTS2101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2

NTS2101PT1G VBsemi SC703 mos datasheet
【2SJ668-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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型号：2SJ668丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压：2

2SJ668 VBsemi TO252 mos datasheet
【2SK4033-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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型号：2SK4033丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO252该产品具有以

2SK4033 VBsemi TO252 mos datasheet
【AP2301GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：AP2301GN丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：±12V

AP2301GN VBsemi sot23 mos datasheet

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