制造与封装-原理图资料下载_第11页-面包板社区

【FR5305-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FR5305丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：20

FR5305 VBsemi TO252 mos datasheet
【SI4953DY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：SI4953DY-T1-E3丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-频道类型：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电

SI4953DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AP4563GH-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：AP4563GH丝印：VBE5415品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±40V-最大电流：50A/-50A-导通电阻：15mΩ@10V,18.75mΩ@4

AP4563GH NP VBsemi TO2525 mos datasheet
【SI2318DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：SI2318DS-T1-GE3 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.5A&nb

SI2318DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5

SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
【MTD6P10ET4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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MTD6P10ET4 VBsemi TO252 mos datasheet
【SQ9945BEY-T1-GE3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：SQ9945BEY-T1-GE3丝印：VBA3638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5

SQ9945BEYT1GE3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【IRF7314TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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IRF7314TRPBF详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(

IRF7314TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【NTD2955T4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：NTD2955T4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-RDS(ON)：61mΩ@10V，72mΩ@4.5V-门源电压范围：

NTD2955T4G VBsemi TO252 mos datasheet
【ME9435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：ME9435丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-6A-导通电阻：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20V

ME9435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AOD442-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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AOD442详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装类型：TO

AOD442 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD484-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：AOD484 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V，9mΩ@4.5

AOD484 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD4184-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：AOD4184丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs

AOD4184 VBsemi TO252 mos datasheet
【FDN340P-NL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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FDN340P-NL详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.81Vth(V)

FDN340PNL VBsemi sot23 mos datasheet
【FDS9958-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：FDS9958-NL 丝印：VBA4658 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个P沟道 -额定电压：-60V -额定电流：-5.3A&nb

FDS9958NL VBsemi SOP8 mos datasheet
【FDD5614P-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：FDD5614P丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压

FDD5614P VBsemi TO252 mos datasheet

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