制造与封装-综合文档资料下载

微电子CMOS流程

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微电子CMOS流程微电子工艺技术引言集成电路制造工艺流程录像（美国斯坦福大学）12引言以清华大学微电子所北方基地工艺原理课程采用讲课与使用多工艺原理课程采用讲课与使用多CMOS工艺为背景，录制了全套工

微电子 cmos 教学计划
微电子IC制造

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微电子IC制造……

微电子 ic制造圆片制造
《扩散工艺》作业

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《扩散工艺》作业第二章《扩散工艺》作业1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为20分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在1100℃下做推进扩散。为获得4.0μm的结深，推

扩散工艺习题
第一章氧化工艺

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第一章氧化工艺……

热氧化二氧化硅 deal-grove模型
第二章扩散工艺

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第二章扩散工艺……

扩散原理费克定律杂质扩散
第三章离子注入工艺上

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第三章离子注入工艺上……

离子注入射程入射离子分布
第三章离子注入工艺下

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第三章离子注入工艺下……

离子注入注入损伤退火
RTP

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RTP……

rtp 杂质再分布加热灯源
薄膜淀积工艺上

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薄膜淀积工艺上……

薄膜淀积真空技术等离子体
LSS表

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LSS表……

靶离子射程
微电子RTP

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微电子RTP微电子工艺技术课自学报告RTP工艺的应用及其前景微32班张煜磊刘洋成松源谌舟浪微电子工艺技术自学报告RTP工艺的应用及其前景快速热处理（RTP）作为现代先进半导体工艺中必不可少的一个环节，

微电子 rtp pn结
金属化工艺

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金属化工艺一、基本概念金属化第八章金属化工艺将晶片上制成的各种元器件用互连薄膜材料（通常为金属）的线条连接起来构成具有各种功能的集成电路的工艺。－－接触与互连为了将半导体器件与外部有效地联系起来，必须

金属化欧姆接触互连
工艺集成技术

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工艺集成技术……

工艺集成器件隔离亚微米
刻蚀工艺.2

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刻蚀工艺§1基本概念刻蚀：就是通过物理和/或化学方法将下层材料中没有被上第七章刻蚀工艺层掩蔽膜材料掩蔽的部分去掉，从而在下层材料上获得与掩蔽膜图形完全对应的图形。岳瑞峰清华大学微电子学研究所微纳器件与

刻蚀工艺品质因数湿法刻蚀
薄膜淀积工艺（下）

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薄膜淀积工艺（下）……

薄膜淀积物理气相蒸发
薄膜淀积工艺（中）

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薄膜淀积工艺（中）……

薄膜淀积化学气相淀积 cvd
外延生长

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外延生长……

外延生长气相外延掺杂