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  • 半导体物理问题与习题
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    时间：2020.03.11
    上传者：quw431979_163.com
    半导体物理问题与习题……
    半导体
  • 半导体物理学 （第6版）_
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    时间：2020.03.11
    上传者：238112554_qq
    半导体物理学（第6版）……
    半导体
  • 半导体物理学 第4版
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    时间：2020.03.11
    上传者：2iot
    半导体物理学第4版……
    半导体
  • 半导体物理学
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    时间：2020.03.11
    上传者：16245458_qq.com
    半导体物理学……
    半导体
  • 高等学校教学参考书 半导体物理学
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    时间：2020.03.11
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    高等学校教学参考书半导体物理学……
    半导体
  • 电力电子器件
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    时间：2020.03.11
    上传者：二不过三
    电力电子器件的最新发展|电力电子器件的最新发展||浙江大学电机系钱照明，陈辉明，吕征宇||||作者简介：||||钱照明：浙江大学电气工程学院教授，博士生导师。主要从事现代电力||电子器件及其相关应用技
    电力电子 功率晶闸管 IGBT
  • 三极管11
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    时间：2020.03.11
    上传者：2iot
    三极管11……
    三极管 电气参数 极限参数
  • 稳压二极管参数
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    时间：2020.01.07
    上传者：16245458_qq.com
    稳压二极管参数……
    稳压二极管 BW 1n
  • 整流二极管
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    时间：2020.01.07
    上传者：2iot
    整流二极管……
    整流二极管 电气参数 1n
  • 扩散工艺原理
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    时间：2020.03.11
    上传者：2iot
    扩散工艺原理第三章扩散工艺三、杂质扩散§1.扩散原理1.恒定表面源扩散扩散过程中，硅片表面杂质浓度始§2.典型工艺终不变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布§3.扩散方法为余误差函数
    扩散原理 杂质扩散 扩散方程
  • 外延工艺控制
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    时间：2020.03.11
    上传者：238112554_qq
    外延工艺控制xcl§1.扩散原理§2.典型扩散工艺方法§3工艺控制和质量检测§4.工艺控制和质量监测一.工艺控制二.质量检测2005-3-1112005-3-112一.工艺控制假片和试片假假污染控制：
    工艺控制 质量检测 电阻测量
  • 离子注入
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    时间：2020.03.11
    上传者：978461154_qq
    离子注入xcl第四章离子注入工艺§1离子注入工艺设备及原理一．离子注入工艺设备结构2005-3-3012005-3-302图4.1离子注入机结构图4.2离子注入机原理图2005-3-3032005-3
    离子注入 射程 核碰撞
  • 化学气相淀积
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    时间：2020.03.11
    上传者：238112554_qq
    化学气相淀积xcl第五章化学气相淀积§1定义及反应方程式一、化学气相淀积定义：指使一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为“Chemic
    化学气相淀积 cvd 化学平衡
  • 氧化工艺
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    时间：2020.03.11
    上传者：微风DS
    氧化工艺§1热氧化工艺一、性质及用途(一).五种用途一、性质及用途（？种）杂质扩散掩蔽膜a二、氧化原理器件表面保护或钝化膜b电路隔离介质或绝缘介质c（SRO三.、氧化方法（？种）－应力释放氧化）四、质
    热氧化 二氧化硅膜 p阱
  • 第六章光刻工艺（上篇）
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    时间：2020.03.11
    上传者：16245458_qq.com
    第六章光刻工艺（上篇）问题？在同一集成电路制造流程中,经历了同样的一系列加工工艺后：如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、不同结构和尺寸的元件?如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得所要求的电路
    光刻工艺 图形转移 掩膜版
  • 第六章光刻工艺（下篇）
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    时间：2020.03.11
    上传者：16245458_qq.com
    第六章光刻工艺（下篇）……
    光刻胶 car 感光度
  • 刻蚀工艺
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    时间：2020.03.11
    上传者：wsu_w_hotmail.com
    刻蚀工艺……
    刻蚀工艺 品质因数 vlsi
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