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【IRLZ34NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLZ34NPBF-VB丝印：VBM1638品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：50A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V，28

IRLZ34NPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【ISL9N308AD3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ISL9N308AD3-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：60A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，1

ISL9N308AD3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ISL9N310AD3ST-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数：-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：60A-静态导通电阻（RDS(O

ISL9N310AD3STVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【KD2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：KD2301丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.81Vth(V)；SOT23该产

KD2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【KD3422A-VB】N沟道SOT23-3L封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：KD3422A-VB丝印：VBB1630品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：5.5A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,36mΩ@4.

KD3422AVB 沟道 SOT233L 封装 mos datasheet
【KF5N50DS-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:KF5N50DS-VB丝印:VBE165R05S品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:650V-最大电流:5A-静态导通电阻(RDS(ON)):950mΩ@10V-门源电压(Vg

KF5N50DSVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【LBSS139LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

LBSS139LT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.6Vth(

LBSS139LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【LR120N-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号LR120N-VB的详细参数和应用简介：**型号：**LR120N-VB**丝印：**VBE1101M**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

LR120NVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MCH3409-TL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:MCH3409-TL-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V-静态导通电阻(RDS

MCH3409TLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【MDD1754RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MDD1754RH-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-最大连续漏极电流：50A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V，14m

MDD1754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MDD1951RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：MDD1951RH-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-开通态电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：

MDD1951RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MDD3754RH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：MDD3754RH丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压

MDD3754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MDS9754URH-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：MDS9754URH丝印：VBA5325品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±30V-最大电流：9A/-6A-导通电阻：15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ

MDS9754URH NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【ME20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ME20N03-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V，9mΩ@4.

ME20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ME20P03-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：ME20P03-VB丝印：VBE2338品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-26A-开态电阻(RDS(ON))：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±

ME20P03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ME2303-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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ME2303(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：ME2303是

ME2303 VBsemi sot23 mos datasheet
【ME2323D-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ME2323D-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-开态电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V

ME2323DVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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