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碳化硅MOS应用于双向DCDC（LLC，移相全桥，DAB）

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时间：2022.01.27

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碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

双向 dcdc llc 移相全桥 dab
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

sic 碳化硅 mos pd 快充
带PD TYPEC转HDMI转换器CS5266原理图

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时间：2021.07.07

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瑞奇达CapstoneCS5266原理图,CS瑞奇达CS5266, TYPEC拓展方案，USBTypeC转HDMI音视频，TYPEC转HDMI带PD快充方案设计

TYPEC转HDMI TYPEC转换器 CS5266 原理图
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
CS5261替代RTD2171U最新版设计参考电路

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时间：2022.02.24

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CS5261替代RTD2171U设计电路，CS5261参考电路图，Type-C转HDMI方案芯片设计资料，CS5261完全替代AG9310电路图

CS5261 替代RTD2171U CS5261设计参考
CS5265单芯片TYPEC转HDMI2.0 4K@60HZ扩展坞方案电路图

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时间：2021.08.03

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TYPEC转HDMI2.0转换器，CS5265瑞奇达TYPEC转HDMI芯片,替代IT6564设计参考电路替代PS176TypeC转HDMI方案设计参考电路,TYPEC转HDMI2.0扩展

CS5265 扩展坞 TYPEC方案电路图
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时间：2020.05.03

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电力电子技术
替代RTD2166方案芯片CS5212SCH原理图.pdf

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时间：2021.08.20

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CS5212替代RTD2166,可用原RTD2166小板框，成本更优化，目前已被大量客户采用。CS5212结合了DP输入接口和模拟RGBDAC输出接口。适用于多个细分市场和显示器应用程序，如笔记本电脑

替代RTD2166 方案芯片 CS5212SCH CS5212原理图 pdf原理图
TOSHIBA东芝TB67S128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.05

上传者：东芝铠侠代理

关键特性包括：BiCD工艺集成：确保高效率和可靠性。PWM斩波控制：实现精确的电流控制。宽步进分辨率：支持全步、半步、1/4步、1/8步、1/16步、1/32步、1/64步和1/128步操作。高电压和

toshiba 东芝 TB67S128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
夏普烟雾传感器GP2Y1010AU0F应用手册

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时间：2019.05.22

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夏普烟感传感器GP2Y1010AU0F，应用文档。

GP2Y1010AU0F 应用手册
夏普烟感传感器GP2Y1010AU0F数据手册

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时间：2019.05.22

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夏普烟感传感器GP2Y1010AU0F的数据手册。

烟感传感器 GP2Y1010AU0F
三相 MOSFET 桥脉冲驱动器产品说明书

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时间：2023.07.21

上传者：贾智鹏

概述HJG4301是一种三相MOSFET桥脉冲驱动器，采用混合集成电路工艺技术，由智能的集成栅驱动控制和保护电路以及三相MOSFET桥组成，具有高达100V电机电源电压和29A电流输出能力。具有全面的

三相 mosfet 脉冲驱动器产品说明书
段码LCD液晶显示驱动芯片-VK1024B技术资料PDF

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时间：2021.11.24

上传者：crh18824662436

VK1024B概述：VK1024B是24点、内存映象和多功能的LCD驱动，VK1024B的软件配置特性使它适用于多种LCD应用场合，包括LCD模块和显示系统，用于连接主控制器和VK1024B的管脚只有

段码 lcd 液晶显示驱动芯片 VK1024B 技术资料 pdf
ASW3642芯片原理图HDMI2.0切换器设计电路

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时间：2023.06.26

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ASW3642芯片原理图，ASW3642设计电路，支持HDMI/DP切换器，单颗，二进一出，或一进二出，支持HDMI2.0(4K60)

ASW3642 HDMI切换器 ASW3642设计电路芯片原理图
TOSHIBA东芝TB67S581FNG步进电机驱动IC datasheet

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时间：2024.07.29

上传者：东芝铠侠代理

TB67S581FNG是一款采用PWM斩波模式的恒流两相步进电机驱动IC，采用东芝的BiCD（双极-CMOS-DMOS）工艺制造。该集成电路旨在提供高效率和高可靠性。以下是它的一些突出特点：高电压和电

toshiba 东芝 TB67S581FNG 步进电机驱动 ic datasheet
NS32F103C8T6可替代STM32F103C8T6 MCU简介（内附规格书）

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时间：2022.02.11

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NS32F103X8和NS32F103XB标准型MCU系列使用高性能的ARMCortex-M332 位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器（高达128K字节的闪存和20K字节

NS32F103C8T6 替代 stm32f103c8t6 mcu 简介内附规格书
MX9291芯片说明书

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时间：2023.11.16

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MX9291规格书，MX9291说明书，MX9291中文设计方案，MX9291方案应用

MX9291 芯片说明书

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