制造与封装-原理图-消耗E币(免费)资料下载

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时间：2021.04.14

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电子产品日新月异，硬件电子工程师少不了画PCB，设计需考虑电子元器件封装，收集了诸多常用封装，有兴趣了解的网友，下载参考参考吧。

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VK1625 LCD驱动芯片(ic)-3线接口，可通过指令进去省电模式

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源或32.768KHz晶体振荡器•偏置电压（BIAS）固定为1/4•COM周期（DUTY）固定为1/8•内置显

VK1625 lcd 驱动芯片 ic3 接口可通指令进去省电模式
高抗干扰/抗噪LCD液晶段码驱动IC-VK2C21C SOP20封装

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时间：2023.07.13

上传者：永嘉微电罗丹

SOP20(300mil)(12.8mmx7.5mmPP=1.27mm)

抗干扰抗噪 lcd 液晶段码驱动 IC 163088 SOP20 封装
高抗干扰/抗噪LCD液晶段码驱动IC-VK2C21B SOP24封装

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时间：2023.07.13

上传者：永嘉微电罗丹

SOP24(300mil)(15.4mmx7.5mmPP=1.27mm)

抗干扰抗噪 lcd 液晶段码驱动 ICVK2C21B SOP24 封装
晶台光耦KLT3081可控硅光耦(零交叉)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLT3081系列由一个砷化镓红外发射二极管和一个单晶硅芯片的过零光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器，它被设计用于与分立功率双向可控硅开关配合使用，将逻辑系统连接到由110至380VAC线路供电的设

晶台光耦 KLT3081 可控硅光耦零交叉产品规格书
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
VKL076是超低功耗LCD液晶驱动芯片-超低工作电流，低休眠电流

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL076 SSOP28是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出15线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：

VKL076 超低功耗 lcd 液晶驱动芯片超低工作电流休眠电流
【2SK4033-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：2SK4033丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO252该产品具有以

2SK4033 VBsemi TO252 mos datasheet
【50N04-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：50N04丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±

50N04 VBsemi TO252 mos datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO2301(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3401A-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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AO3401A详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1Vth(V)-封装类型

ao3401a VBsemi sot23 mos datasheet
【AO4407-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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AO4407详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.37V

AO4407 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4407A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：AO4407A丝印：VBA2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.

AO4407A VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO4435(VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.37V，封装：SOP8。应用简介：

AO4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4800-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO4800 丝印：VBA3328 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.8A（最大值）、6.0

AO4800 VBsemi SOP8 mos datasheet

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