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USB供电的静噪对策

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时间：2024.04.08

上传者：WugouSword

usb 供电静噪
理想Mega极致造型和最低风阻的产品开发逻辑分析.pdf

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时间：2024.03.05

上传者：LEON_tech

大家好，我是：村长LEON，一位每天撸猫的新能源开发人员。今天和大家分享的是：理想Mega极致造型和最低风阻的产品开发逻辑分析。更多内容请关注：新能源EVCAR。摘要:Mega通过极致造型

理想 mega 极致造型最低风阻产品开发逻辑分析
【IRF9Z24NSTRLPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±

IRF9Z24NSTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFR4510TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRFR4510TRPBF-VB丝印：VBE1101N品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：70A-RDS(ON)：9mΩ@10V,20mΩ@4.5V-门源电压（V

IRFR4510TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs

SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【HAT1024R-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：HAT1024R-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-**双P沟道：**该器件包含两个P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电

HAT1024RVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF7453TRPBF-VB丝印：VBA1203M品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：200V-最大电流：3A-RDS(ON)：300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压（

IRF7453TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRFR1018ETRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：IRFR1018ETRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大漏电流：60A-静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,

IRFR1018ETRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF9310TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF9310TRPBF-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-开通态电阻：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

IRF9310TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SSF2341E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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上传者：VBsemi

型号：SSF2341E-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-开通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源极电压：12V

SSF2341EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFB31N20DPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有以下详细参数说明：-最大耐压（VDS）：200V-最大电流（ID）：35A-导通电阻（R

IRFB31N20DPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【AP40N03GP-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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详细参数说明：-型号：AP40N03GP-VB-丝印：VBM1310-品牌：VBsemi-参数： -沟道类型：N沟道 -额定电压：30V -额定电流：80A -

AP40N03GPVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【AM30N10-70D-T1-PF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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上传者：VBsemi

型号：AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数说明：-类型：N沟道MOSFET-工作电压：100V-额定电流：40A-开通电阻：30mΩ（10V）、31mΩ

AM30N1070DT1PFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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