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电动汽车动力电池管理系统设计_谭晓军著

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时间：2024.03.26

上传者：电子阔少

电动汽车动力电池管理系统设计_谭晓军著

电动汽车动力电池管理系统设计谭晓军
自制摩托车LED尾灯

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时间：2024.03.18

上传者：电子阔少

自制摩托车LED尾灯

自制摩托车 led 尾灯自制摩托车 LED尾灯
房海明教你如何成为LED专家

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时间：2024.03.18

上传者：电子阔少

房海明教你如何成为LED专家

房海明 led 照明
LED 光谱可调的积分球光源设计.pdf

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时间：2024.04.08

上传者：电子阔少

LED光谱可调的积分球光源设计.pdf

led 光谱可调光源设计光谱可调积分球光源设计
LED点阵显示屏proteus仿真.pdf

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时间：2024.04.08

上传者：电子阔少

LED点阵显示屏proteus仿真.pdf

led 点阵显示屏 proteus 仿真 pdf
LG磁控管-2M214

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时间：2024.04.08

上传者：csfc327_962573035

LG磁控管-2M214参数资料

LG 70910
蓝牙耳机结构设计规范

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时间：2024.04.08

上传者：愿许人间见白头

该文档来源于网络，提供蓝牙耳机常见材质、结构、工艺、风险评估和识别。对学习蓝牙结构设计具有一定指导作用。

蓝牙耳机结构设计规范
快速充电电路的静噪

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时间：2024.04.08

上传者：WugouSword

Murata快速充电电路的静噪

快充静噪
USB供电的静噪对策

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时间：2024.04.08

上传者：WugouSword

usb 供电静噪
理想Mega极致造型和最低风阻的产品开发逻辑分析.pdf

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时间：2024.03.05

上传者：LEON_tech

大家好，我是：村长LEON，一位每天撸猫的新能源开发人员。今天和大家分享的是：理想Mega极致造型和最低风阻的产品开发逻辑分析。更多内容请关注：新能源EVCAR。摘要:Mega通过极致造型

理想 mega 极致造型最低风阻产品开发逻辑分析
【IRF9Z24NSTRLPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±

IRF9Z24NSTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFR4510TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRFR4510TRPBF-VB丝印：VBE1101N品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：70A-RDS(ON)：9mΩ@10V,20mΩ@4.5V-门源电压（V

IRFR4510TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs

SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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