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【IRFB31N20DPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有以下详细参数说明：-最大耐压（VDS）：200V-最大电流（ID）：35A-导通电阻（R

IRFB31N20DPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【AP40N03GP-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：AP40N03GP-VB-丝印：VBM1310-品牌：VBsemi-参数： -沟道类型：N沟道 -额定电压：30V -额定电流：80A -

AP40N03GPVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【AM30N10-70D-T1-PF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数说明：-类型：N沟道MOSFET-工作电压：100V-额定电流：40A-开通电阻：30mΩ（10V）、31mΩ

AM30N1070DT1PFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MI3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：MI3407-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-开态电阻(RDS(ON))：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-额定门源

MI3407VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO4406A-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：AO4406A-VB-丝印：VBA1311-品牌：VBsemi-参数：N沟道，30V，12A，RDS(ON)为12mΩ（在10V时），15mΩ（在4.5V时），20Vgs的范围为

AO4406AVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDS8949-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

该型号FDS8949-NL-VB，丝印为VBA3638，是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A，RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V，20Vgs(±V

FDS8949NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2

APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【IRLR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRLR024NTRPBF-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压：20V

IRLR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STN3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：STN3PF06-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-P沟道--60V--6.5A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-20Vgs(±V)--1~-3Vth(V)

STN3PF06VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【SM4307PSKC-TRG-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SM4307PSKC-TRG-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-11A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs

SM4307PSKCTRGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ISL9N310AD3ST-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数：-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：60A-静态导通电阻（RDS(O

ISL9N310AD3STVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：20N03-VB-丝印：VBE1310-品牌：VBsemi-类型：N沟道场效应管-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压：

20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IPD036N04LG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

参数说明：-型号：IPD036N04LG-VB-丝印：VBE1405-品牌：VBsemi-N沟道-最大额定电压：40V-最大额定电流：85A-RDS(ON)：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vg

IPD036N04LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【RSS075P03TB-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS075P03TB-VB丝印:VBA2317品牌：VBsemi参数说明:-管道类型:P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-管道电阻(RDS(ON))：23mΩ@10V,29mΩ@4.

RSS075P03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SSC8035GS6-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SSC8035GS6-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏极电流：-5.6A-漏极-源极电阻：47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极

SSC8035GS6VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSM3K301T-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：SSM3K301T-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-工作电压：20V-额定电流：6A-开态电阻：RDS(ON)=24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V

SSM3K301TVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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