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【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：参数说明：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57m

APM2317ACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【CMD12N10-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：CMD12N10丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-RDS(ON)：115mΩ@10V，121mΩ@4.5V-门源电压范围：±

CMD12N10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【CES2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：CES2301-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-**P沟道：**该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VD

CES2301VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【APM2301AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-TRL-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-开通电阻：57

APM2301ACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI1304BDL-T1-GE3-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:SI1304BDL-T1-GE3-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V,

SI1304BDLT1GE3VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【FDG1024NZ-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

FDG1024NZ(VBK3215N)参数说明：2个N沟道，20V，2A，导通电阻150mΩ@4.5V，170mΩ@2.5V，门源电压范围8Vgs(±V)，阈值电压0.8V，封装：SC70-6。应用简

FDG1024NZ VBsemi SC706 mos datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是

NTJD4401NT1G VBsemi SC706 9882 datasheet
【TSM3404CX RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：TSM3404CXRF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-

TSM3404CX RFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
LED电视机原理图及PCB文件（power PCB文档）

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时间：2021.07.27

上传者：luck_gfb

早期LED电视机原理图及PCB文件，批量生产过的文档

led 电视机原理图 pcb 文件 power pcb 文档
201020235349-提高LLC谐振电路工作效率的控制电路

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

201020235349-提高LLC谐振电路工作效率的控制电路
APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明：P沟道，-30V，-26A，导通电阻33mΩ@10V，46mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

APM3095PUCTRL VBsemi TO252 mos
【APM4826KC-TRG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM4826KC-TRG(VBA1311)参数说明：N沟道，30V，12A，导通电阻12mΩ@10V，15mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围0.8~2.5V，封装：SOP8

APM4826KCTRG VBsemi SOP8 mos datasheet
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）

SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
【FDC5614P-NL-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

FDC5614P-NL(VB8658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻50mΩ@10V，60mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT23-6。应用

FDC5614PNL VBsemi sot236 mos datasheet
【SM4307PSKC-TRG-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SM4307PSKC-TRG-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-11A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs

SM4307PSKCTRGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
有效负载电阻——评估DC／DC转换器效率的新方案

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时间：2019.05.29

上传者：feiniao2008

摘要：本文提供另外一种方法，作为电源的评估工具以测量效率。这个方法行之有效，且与输出电压和温度的相关性较小。关键词：电源效率；有效损耗电阻；DC／DC转换器

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