IRF1404是N极性MOS管,IRF1404基本描述:-先进的工艺技术-超低导通电阻-动态的dv / dt评级-操作温度175°C-快速切换-完全Avalanche额定IRF1404主要特征:第七代HEXFET®功率MOSFETs从整流器采用国际先进加工工艺技术,...
IRF9530是P极性MOS管,IRF9530主要特征:•动态dV/dt额定值•重复雪崩额定•p沟道•175℃操作温度•快速交换•易于并行•驱动器要求简单IRF9530基本描述:第三代功率mosfts从Vishay提供设计师与最佳组合的快速切换,坚固耐用...
TIP142晶体管是一款双极性晶体管, TIP142基本描述:-单片达林顿配置-集成反平行集电极-发射极二极管 TIP142主要特征: 该装置采用“基岛”布局和单片达林顿配置的平面技术制造。由此产生的晶体管表现出极高的增益性能和...
IRF7455是N极性MOS管,IRF7455主要特征:- 在4.5V Vgs时,拥有超低Rds(on)-低电荷和低栅阻抗来降低切换损失-充分表征Avalanche电压和电流IRF7455核心参数:Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 12...
AO4805是双沟通P极性MOS管,AO4805主要特征:Vds:-30VId(at VGS=-20V) : -9ARds(ON) (at VGS=-20V) : < 15mΩRds(ON) (at VGS =-10V) : < 18mΩAO4805基本描述:A04805结合了先进的沟道MOSFET技术和低电阻封装...
一种有效利用能量的控制方法近年来以在欧盟,对待机电源的限制变得严格了。 另外,便携设备和传感器终端等靠电池工作的小型设备,为了更有效的使用能源,需要控制电源上下电的开关。这种情...
在仪表放大器的设计中,有时会注意设计相对于输入同相电压(VCM)可实现的输出电压(VOUT)范围的特性及REF基准的处理方法,但有时也会忽略规则而难以特性化。 美国模拟器件公司的AD8237是为了...