提高微波功率晶体管可靠性
采集列表 2024-12-30

1 引言

微波功率晶体管(以下简称微波功率管)是指用于微波频段的功率放大,输出较大功率,散发出较高热量的晶体管。微波功率管是固态发射机及T/R组件的核心器件,其可靠性对系统的可靠性指标起着决定性的作用。微波功率管的可靠性分固有可靠性和使用可靠性两部分。固有可靠性主要靠生产厂在器件的设计、工艺、原材料选用等过程中来保证。而统计数据表明,器件的使用方一产品设计师,对器件的选择、使用过程中存在某些失控所导致的器件失效比例几乎占到器件总失效率的50%。所以,作为微波工程师,除了按照要求选用合适质量等级的微波功率管外,在使用当中也有诸多的注意事项,以保证微波功率管的使用可靠性。 2瞬态过载

微波功率管存在一个安全工作的范围,即通常所说的安全工作区(如图1所示)。他是一个由最大集电极电流ICM,雪崩击穿电压BVCEO,最大耗散功率PCM和二次击穿触发功率PSB这些参数所包围的区域。这些均为功率管的极限参数,设计师在使用微波功率管时,为保证可靠性,一般都会有意识地使器件工作参数落在安全区内,且有一定程度的降额。但是,微波功率管在正常使用当中可能发生某些电应力的瞬态过载,易使器件损坏,而这些在设计中往往没有被考虑或未引起足够的重视。

2.1 派涌电压(电流)

雷达发射机用微波功率管一般工作在脉冲状态,输入信号为一个矩形脉冲波,其工作电流在几百纳秒甚至几纳秒的时间内发生很大变化,而电荷的储存和释放均需要一定的时间,所以在脉冲启动或关断时的转换瞬间便有浪涌出现。图2为某脉冲功率放大晶体管在使用时集电极的电压波形。

如果电压(电流)过冲超出允许范围,微波功率管就会因为击穿而被烧毁或导致永久性损伤,另外,浪涌还会通过电磁辐射影响其他电路。

为了防止浪涌,需要加保护电路。比较简便的方法是接旁路电容(有时称去耦电容)。这是因为浪涌电压具有很高的频率成分,故在馈电电路上接旁路电容加以抑制。旁路电容应该是低电感的高频电容,如多层陶瓷电容和钽电解电容。保护电路常用的方法还有加钳位二级管来限制浪涌电压的幅度。

2.2 失配

一般来说,微波功率管的输入、输出阻抗都很低,如BJT输入阻抗实部只有几个欧姆。故功率晶体管在使用中都要与系统阻抗(一般为50 Q)匹配。设计师在设计匹配电路时,均会尽量使微波功率管处于匹配状态或失配很小在允许的范围内。但通常在放大器中需要多级晶体管级联工作,后级放大电路作为前级放大器的负载,其特性发生变化时,会导致前一级的负载失配,负载驻波系数发生变化。当晶体管输出较大功率时,输出电路的失配甚至会使集电极受到数倍于电源电压的瞬时峰值电压,造成烧毁。

为了防止微波功率管在使用中的失配而烧毁,需加强放大电路之间的级间隔离,如在每级之间加隔离器,利用隔离器的单向传输特性使得负载变化对功率管的影响减弱,起到保护功率管的作用。一般在大功率使用情况下,应尽量避免两级以上的晶体管放大器无隔离的级联。 3结温和热阻

微波功率管是温度敏感的器件。对于硅管,最高结温Tjm一般在200℃,而锗管一般在125℃。结温对功率管的可靠性有很严重的影响,如NPN功率管,在 140℃下的故障率为20℃时的7.5倍。故从可靠性设计的角度考虑,在使用中要尽量降低微波功率管工作时的最高结温,即对结温采用降额。

微波功率管工作时的结温有以下表达式:

其中,Ta为环境温度,RT是晶体管的散热热阻,PCM为晶体管的最大耗散功率,RT又包含晶体管的内热阻、散热材料的热阻(又称外热阻)以及晶体管与散热材料的接触热阻3部分。

从式中看出结温的降额途径,一是降低微波功率管的最大耗散功率,即对电压、电流进行降额使用;二是改进散热方式,降低RT。外热阻是由材料的特性决定的。内热阻决定于器件设计、材料、结构和工艺,是半导体自身的属性。设计师应尽可能选择内、外热阻小的器件和材料。为了减少功率管外壳与散热器间的接触热阻,可采取的措施有:确保接触表面平滑,扭紧螺钉来加大接触压力,用导热化合物填塞空隙等。

4参数漂移

微波功率管在使用中会遇到参数漂移的问题,设计师在设计电路时,应当避免敏感设计,使得晶体管在电路或环境等参数在一定范围内变化时,仍能正常工作,这也就是可靠性设计中的容差设计。

引起参数变化的因素包含加工制造公差、温度变化、辐射影响等(在讨论使用可靠性时,我们忽略了微波功率管自身参数随时间的变化)。设计师在设计时,应当借助试验手段,掌握有关参数变化产生的影响--如通过环境试验获得微波功率管参数随温度变化的特性,通过电压拉偏试验了解其对指标的影响等。也可以用CAD手段进行容差设计。图3为用微波仿真软件设计电路的某一参数在变化5%(模拟加工公差)时,使得端口参数Su在一定的范围发生变化。通过仿真,可以判断某参数是否为敏感的参数,其可能的变化范围是否会影响电路的正常工作。

5 结 语

由于微波功率管电路参数的复杂性,其工作条件的个体差异性,所以微波功率管的可靠性设计工作也是一个复杂的工程。在实际设计中,设计师应当针对具体情况进行分析,抓住主要矛盾,这样才能快捷地解决问题,有效利用微波功率管的寿命周期。

声明: 本文转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们及时删除。(联系我们,邮箱:evan.li@aspencore.com )
0
评论
  • 相关技术文库
  • 硬件
  • 原理图
  • 信号完整性
  • EMI
  • 一个复杂的电气控制原理图要怎么才能变成我们需要的接线图呢?

    一个复杂的电气控制原理图要怎么才能变成我们需要的接线图呢?想解答这个问题,先要搞清楚的是两种图文之间转换的步骤

    昨天
  • 双向恒流源电路分析及仿真

    很多场合需要双向的恒流源,例如TEC半导体制冷器,或者一些电刺激之类的场合,那么本期分析的电路就是一个双向的恒流源电路,本期的电路摘取自德州仪器技术文档ZHCA062。电路图如下:

    前天
  • 如何看电路图是否短路

    现在生活中人们都离不开电力, 随着装修的要求越来越高,大家都知道水电属于隐蔽工程,如果没有安装好,后期在使用时会带来很大的麻烦。给大家介绍一下如何看电路图是否短路。 如何看电路图是否短路 1、根据欧姆定...

    02-28
  • 电子琴设计:指尖奏响的电子乐章

    1. (1. 由4X4组成16个按钮矩阵,设计成16个音。 (2. 可随意弹奏想要表达的音乐。 2. 电路原理图   图4.22.1 3. 系统板硬件连线 (1. 把“单片机系统”区域中的P1.0端口用导线连接到“音频放大模块”区域中的SPK IN端口上...

    02-27
  • 00-59 秒计时器(软件延时版):精准计时的软件魔法

    1. 如下图所示,在AT89S51单片机的P0和P2端口分别接有两个共阴数码管,P0口驱动显示秒时间的十位,而P2口驱动显示秒时间的个位。 2. 电路原理图   图4.11.1 3. 系统板上硬件连线 (1. 把“单片机系统”区域中的P0.0/A...

    02-27
  • 一键多功能按键识别技术:一键开启多元功能世界

    1.如图4.9.1所示,开关SP1接在P3.7/RD管脚上,在AT89S51单片机的P1端口接有四个发光二极管,上电的时候,L1接在P1.0管脚上的发光二极管在闪烁,当每一次按下开关SP1的时候,L2接在P1.1管脚上的发光二极管在闪烁,再...

    02-27
  • 按键识别新方法之一:解锁按键操作的秘密

    1. I/O并行口直接驱动LED显示,每按下一次开关SP1,计数值加1,通过AT89S51单片机的P1端口的P1.0到P1.3显示出其的二进制计数值。 2. 电路原理图   图4.8.1 3. 系统板上硬件连线 (1. 把“单片机系统”区域中的P3.7/RD...

    02-27
  • I/O 并行口直接驱动 LED 显示设计:高效数据可视化的核心技术

    1. 如图13所示,利用AT89S51单片机的P0端口的P0.0-P0.7连接到一个共阴数码管的a-h的笔段上,数码管的公共端接地。在数码管上循环显示0-9数字,时间间隔0.2秒。 2. 电路原理图   图4.7.1 3. 系统板上硬件连线 把“单...

    02-27
  • 报警产生器设计:安全守护的警报先锋

    1. 用P1.0输出1KHz和500Hz的音频信号驱动扬声器,作报警信号,要求1KHz信号响100ms,500Hz信号响200ms,交替进行,P1.7接一开关进行控制,当开关合上响报警信号,当开关断开告警信号停止,编出程序。 2. 电路原理图  ...

    02-27
  • 创意闪烁灯设计:点亮科技之光

    1. 如图4.1.1所示:在P1.0端口上接一个发光二极管L1,使L1在不停地一亮一灭,一亮一灭的时间间隔为0.2秒。 2. 电路原理图   图4.1.1 3. 系统板上硬件连线 把“单片机系统”区域中的P1.0端口用导线连接到“八路发光二极...

    02-27
  • 利用自锁环节分别实现正转与反转(附电路图的分析)

    1、利用自锁环节分别实现正转与反转图1正反转控制线路1在以上电气原理图中,按下SB2,KM1得电且自锁,主触点闭合,电动机正转;然后按下SB1可以使电动机停转;再按SB3,KM2得电且自锁,主触点闭合,电动机...

    02-20
下载排行榜
更多
评测报告
更多
广告