PTC（正温度系数热敏电阻）结构与NTC类似。但是，从导电机理上看，两者存在较大差异。PTC主要有两大类型，一类是陶瓷型PTC。这种PTC是BaTiO3为主体，掺杂微量的Nb、Ta、Bi、Sb烧结而成的半导体材料，其导电机理采用海旺模型进行解释。该理论认为，PTC效应是由于陶瓷晶界受主类型的缺陷及杂质易在晶界富集，捕获电子后，在晶界处形成肖特基势垒，其势垒高度与介电系数成反比。在居里温度以下时，BaTiO3的自发极化使介电系数保持在较高水平，因此电阻率比较低；居里温度以上，介电系数降低，势垒高度迅速增加，从而导致电阻迅速增大。另一类是以高分子聚合物为基体，加入石墨等导电填料制成的聚合物PTC，解释其PTC现象常用热膨胀理论，正常情况下，PTC呈低阻状态，大电流通过时，产生的热量使聚合物迅速膨胀，导电通路被切断，从而使电阻迅速上升。

关键参数与器件选型
零功率阻值：环境温度为25℃时，以不引起PTC阻值变化的功率所测得的电阻值；
最大电压、电流：表示在工作温度范围内可以对PTC热敏电阻持续施加的电压电流的最大值；
跳闸电流：在限定的条件环境下，使PTC热敏电阻在限定的时间内动作的最小稳态电流；
保持电流：PTC热敏电阻保持不动作情况下，可以通过的最大电流；
居里温度：两倍于25°C下PTC阻值所对应的温度；
动作时间：引起PTC动作电流降至1/2所需的时间；
电阻温度特性：描述PTC阻值温度关系的曲线，PTC陶瓷材料在低温下会呈现NTC（负温度系数热敏电阻）特性，随后再表现为PTC特性，特别是在达到居里温度后，其阻值会随温度的升高而显著增加。村田的文档中还提到PTC存在一个TN点，在TN点之后若继续升高温度，PTC电阻也将失去其正温度热敏特性，需要避免。

伏安特性：在PTC动作前电流随电压上升而上升，动作后，由于阻值的增加，电流也会下降，呈现一个恒功率的特性。

根据PTC的特性，其可应用于电器如暖风机等的加热电路中，也可用于温度补偿，利用其温度特性抑制晶体管的温漂，还可以用于电机启动，抑制电机启动时的大电流。可以发现，NTC和PTC都可用于缓启电路，那么二者有什么不同呢？NTC利用的是其初始阶段的高阻值对启动电流进行限制，一般用于开关电源的启动电路中，正常工作时，其阻值比较低，额外的功耗比较少，但在电机起动的场景下，起动电流比较大，持续时间比较长，在实际应用中，电机还可能存在频繁的正反转切换。在此场景下，若使用NTC，则维持高阻值的时间有限，且频繁启动时NTC来不及降温，阻值比较低，无法在反复启动的情况下限制起动电流，而PTC则可以适应这种转换。但是在正常工作时需增加继电器将PTC进行短路。
PTC工作时的阻值很大，因此会承受大部分的压降，选用时需要考虑最大工作电压不低于电源电压，并考虑裕量。为了得到可靠的开关性能，跳闸电流最好不低于保持电流的两倍。由于环境温度对跳闸电流和保持电流的影响比较大，因此，要把最恶劣的情况考虑进去，对保持电流来说，应考虑高温场景下的电流值；对于保持电流来说，则应选用低温场景下的电流值。

制程工艺
在原料的制备时，可在原料中可以加入适当的金属单质，金属单质在晶界处会形成导电通路，降低PTC的零功率电阻。在粉料制备时，为调节温度系数，也会掺杂受主元素，如MnNO3等。另外，各文献中对PTC电极材料及制备工艺的描述也更加多样，相较于NTC一般使用丝网印刷印制银电极，  PTC电极材料的选择 及印制的工艺更加多样，常见的用于PTC电极的材料有铝、银、In-Ga合金等，制备工艺有丝网印刷、化学镀等。在NTC热敏电阻一文中已经阐述了电极制备需要考虑的因素，从形成良好的欧姆接触的角度考虑：上述几种金属材料均有较高的功函数。功函数代表金属或半导体电子对原子核的束缚能力，功函数越高，电子逃逸的阻力越大，一般将电子的费米能级（热力学平衡时电子有50%概率占据的最高能级）做为判断相互接触的两种固体电子得失难易程度的依据，且固体在接触时，两者的总体费米能级最终将趋于一致，而功函数越高的物质，其费米能级越小。因此在金属与半导体接触时，半导体的功函数较低，只会失去电子，以N型半导体为例，其主要载流子为电子，若失去电子，则会在接触界面形成类似PN结的一个耗尽区，在耗尽区形成一个半导体指向金属的内电场，形成电子势垒，表现出整流特性，因此其电阻较高；反之，如金属功函数低，则金属失去电子，N型半导体获得大量载流子，形成电子势阱，电阻率大大降低，形成欧姆接触。对P型半导体而言，其 多数载流子为空穴，若金属功函数较高，则半导体失去电子，会形成空穴势阱，金半之间形成欧姆接触，反之，则形成肖特基接触。因此，铝、银、In-Ga合金与N型半导体制成的PTC陶瓷均可形成良好的欧姆接触。其余制备工艺与NTC类似，不再重复。

失效模式
PTC的主要失效模式主要有因PTC陶瓷体内部自发极化分布不均，加电后产生热应力导致的瓷体分层，应力异常升高导致的瓷体碎裂，过压或过流导致的电阻击穿等。关于高强度耐压、过流保护用PTC热变阻器的研究。