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SIC碳化硅MOS应用 PD 快充
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大小:1.12MB
时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
sic
碳化硅
mos
pd
快充
碳化硅MOS应用于双向DCDC(LLC,移相全桥,DAB)
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下载:26
大小:1.16MB
时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
双向
dcdc
llc
移相全桥
dab
带PD TYPEC转HDMI转换器CS5266原理图
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大小:557.76KB
时间:2021.07.07
上传者:qq2755130042
瑞奇达CapstoneCS5266原理图,CS瑞奇达CS5266, TYPEC拓展方案,USBTypeC转HDMI音视频,TYPEC转HDMI带PD快充方案设计
TYPEC转HDMI
TYPEC转换器
CS5266
原理图
SIC MOS光伏储能
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下载:14
大小:1.1MB
时间:2022.01.21
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
CS5261替代RTD2171U最新版设计参考电路
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下载:12
大小:257.74KB
时间:2022.02.24
上传者:qq2755130042
CS5261替代RTD2171U设计电路,CS5261参考电路图,Type-C转HDMI方案芯片设计资料,CS5261完全替代AG9310电路图
CS5261
替代RTD2171U
CS5261设计参考
CS5265单芯片TYPEC转HDMI2.0 4K@60HZ扩展坞方案电路图
所需E币:0
下载:10
大小:445.95KB
时间:2021.08.03
上传者:qq2755130042
TYPEC转HDMI2.0转换器,CS5265瑞奇达TYPEC转HDMI芯片,替代IT6564设计参考电路替代PS176TypeC转HDMI方案设计参考电路,TYPEC转HDMI2.0扩展
CS5265
扩展坞
TYPEC方案
电路图
替代RTD2166方案芯片CS5212SCH原理图.pdf
所需E币:0
下载:7
大小:24.63KB
时间:2021.08.20
上传者:qq2755130042
CS5212替代RTD2166,可用原RTD2166小板框,成本更优化,目前已被大量客户采用。CS5212结合了DP输入接口和模拟RGBDAC输出接口。适用于多个细分市场和显示器应用程序,如笔记本电脑
替代RTD2166
方案
芯片
CS5212SCH
CS5212原理图
pdf原理图
TOSHIBA东芝TB67S128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet
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大小:2.09MB
时间:2024.07.05
上传者:东芝铠侠代理
关键特性包括:BiCD工艺集成:确保高效率和可靠性。PWM斩波控制:实现精确的电流控制。宽步进分辨率:支持全步、半步、1/4步、1/8步、1/16步、1/32步、1/64步和1/128步操作。高电压和
toshiba
东芝
TB67S128FTG
步进电机驱动
ic
产品
规格书
datasheet
段码LCD液晶显示驱动芯片-VK1024B技术资料PDF
所需E币:0
下载:3
大小:2.65MB
时间:2021.11.24
上传者:crh18824662436
VK1024B概述:VK1024B是24点、内存映象和多功能的LCD驱动,VK1024B的软件配置特性使它适用于多种LCD应用场合,包括LCD模块和显示系统,用于连接主控制器和VK1024B的管脚只有
段码
lcd
液晶
显示驱动芯片
VK1024B
技术资料
pdf
NS32F103C8T6可替代STM32F103C8T6 MCU简介(内附规格书)
所需E币:2
下载:2
大小:2.22MB
时间:2022.02.11
上传者:Vasse
NS32F103X8和NS32F103XB标准型MCU系列使用高性能的ARMCortex-M332 位的RISC内核,工作频率为72MHz,内置高速存储器(高达128K字节的闪存和20K字节
NS32F103C8T6
替代
stm32f103c8t6
mcu
简介
内附
规格书
TOSHIBA东芝TB67S581FNG步进电机驱动IC datasheet
所需E币:0
下载:2
大小:1.88MB
时间:2024.07.29
上传者:东芝铠侠代理
TB67S581FNG是一款采用PWM斩波模式的恒流两相步进电机驱动IC,采用东芝的BiCD(双极-CMOS-DMOS)工艺制造。该集成电路旨在提供高效率和高可靠性。以下是它的一些突出特点:高电压和电
toshiba
东芝
TB67S581FNG
步进电机驱动
ic
datasheet
CS5211替代CH7511B设计开发EDP转LVDS接口转接芯片原理图
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时间:2021.06.18
上传者:qq2755130042
CS5211用于设计DP转LVDS转换器,DP转LVDS控制板,DP转LVDS转接板等产品设计,其性能和参数可以替代与兼容PS8622,PS8625,CH7511等方案芯片。
CS5211
替代CH7511B
eDP转LVDS
LVDS接口转接
CS5211原理图
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet
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大小:5.18MB
时间:2024.06.17
上传者:东芝铠侠代理
TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性:BiCD工艺集成:在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺,提升性能。多功能电机控制:能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。
东芝
TB5128FTG
步进电机驱动
ic
产品
规格书
datasheet
Toshiba东芝TB6560AFG步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet
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大小:1.49MB
时间:2024.07.01
上传者:东芝铠侠代理
TB6560AHQ/AFGICs是脉宽调制(PWM)斩波型驱动器,专为双极步进电机的微步控制设计。这些ICs支持多种励磁模式,包括2相、1-2相、2W1-2相和4W1-2相,提供了广泛应用所需的灵活性
TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet
所需E币:0
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大小:1.08MB
时间:2024.07.18
上传者:东芝铠侠代理
B67S179FTG提供多种步进分辨率设置,包括:全步、半步(a和b)、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间,确保
Toshiba东芝74VHCV541FT产品规格书datasheet
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大小:193.48KB
时间:2024.07.29
上传者:东芝铠侠代理
74VHCV541FT是一种高级高速CMOS八路总线缓冲器,具有非反向、三态输出。该组件采用硅栅CMOS技术制造,确保了与双极肖特基TTL类似的高速操作,同时保持了CMOS技术固有的低功耗。以下是一些
toshiba
东芝
74VHCV541FT
产品
规格书
datasheet
TOSHIBA东芝74VHC74FT产品规格书datasheet
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时间:2024.08.16
上传者:东芝铠侠代理
高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz,非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美,同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最
toshiba
东芝
74VHC74FT
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