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常见的IGBT驱动芯片型号 - 全文
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时间:2020.12.28
上传者:stanleylo2001
常见的IGBT驱动芯片型号-全文
常见
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驱动芯片
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全文
Ansys+SIwave仿真平台在开关电源PCB板中的应用
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下载:28
大小:3.6MB
时间:2020.12.22
上传者:czd886
Ansys+SIwave仿真平台在开关电源PCB板中的应用
AnsysSIwave
仿真平台
开关电源
pcb
板中
应用
开关电源基本工作原理
所需E币:0
下载:27
大小:2.9MB
时间:2019.08.15
上传者:328230725_895182095
本书所指电源是:输入输出都是电能的电能变换电源。
开关电源
开关电源基础知识.pdf
所需E币:0
下载:27
大小:3.54MB
时间:2021.04.28
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
开关电源
基础知识
pdf
碳化硅MOS应用车载OBC,动力电池充电模块
所需E币:0
下载:27
大小:777.88KB
时间:2022.02.16
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
碳化硅
mos
车载
OBC
动力电池
充电模块
IPC-J-STD-001H 2020:
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大小:1.04MB
时间:2021.02.05
上传者:powerstd
IPC-J-STD-001H2020:RequirementsforSolderedElectricalandElectronicAssemblieshttps://share.weiyun.com/
IPCJSTD001H
2020
大牛多年研发电源问题汇总(受益匪浅)
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大小:158.82KB
时间:2019.07.26
上传者:328230725_895182095
问题一:我们小功率用到最多的反激电源,为什么我们常常选择65K或者100K(这些频率段附近)作为开关频率?有哪些原因制约了?或者哪些情况下我们可以增大开关频率?或者减小开关频率?开关电源为什么常常选择
研发电源
FOC电机控制究竟该如何学?
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大小:3.26MB
时间:2021.03.25
上传者:麦田里的守望者
配套视频点这里https://www.zhihu.com/zvideo/1353022459948457984
FOC
电机控制
学
GB/T 35590-2017 信息技术 便携式数字设备用移动电源通用规范
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下载:26
大小:21.69MB
时间:2021.03.09
上传者:小山坡
目前随着移动设备的普惠,充电宝的设计尤为重要。附件为充电宝的最新国标文件。
35590-2017
充电宝
移动电源
充电宝测试方法
赛尔特公司产品手册(电路保护元器件)
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下载:26
大小:16.45MB
时间:2023.01.03
上传者:赛尔特电路保护元器件
SET_ProductsCatalog(CircuitProtectionComponents)赛尔特公司产品手册(电路保护元器件)
赛尔
特公
产品手册
电路保护元器件
DCDC 电源培训
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大小:1.21MB
时间:2020.08.12
上传者:丸子~
DCDC电源培训是一篇讲解DCDC简单原理及其简单应用的一本书籍,本书讲了从buck到电荷泵等各种DCDC电路的原理情况,适合参考学习
dcdc
电源
培训
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充
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下载:26
大小:1.12MB
时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
sic
碳化硅
mos
pd
快充
272个音频功放电路图
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大小:4.97MB
时间:2020.11.12
上传者:xiaosh728
272个音频功放电路图
272个
音频功放电路图
扁平线共模电感选型表
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时间:2022.06.27
上传者:yszlcool
扁平线共模电感选型表
扁平线
共模电感
emi
emc
选型
无线充电WPC Qi协议_V1.2.3-全册.rar
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时间:2021.04.16
上传者:小山坡
无线充电联盟在2017年发布的V1.2.3
无线充电
wpc
qi
QI
现代电源技术 (1)
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大小:4.29MB
时间:2023.02.20
上传者:张红川
现代电源技术(1)
现代
电源技术
碳化硅MOS应用于双向DCDC(LLC,移相全桥,DAB)
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大小:1.16MB
时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
双向
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移相全桥
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