消费电子-消耗E币(免费)资料下载

【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：496.13KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【NTS2101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：296KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2

NTS2101PT1G VBsemi SC703 mos datasheet
【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：284.72KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2V

FDC6306P VBsemi sot236 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：292.4KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：268.33KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：354.98KB

时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：508.07KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：332.44KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【FDC5661N-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：226.73KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：S

FDC5661N VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：268.42KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

名称：APM2301CAC-TRL 型号：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.

APM2301CACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：268.23KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：参数说明：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57m

APM2317ACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【MT2300ACTR-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：282.86KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

MT2300ACTR是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：20V-最大漏极电流：6A-导通时的电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-栅极电压（Vgs）范围：±8

MT2300ACTR VBsemi sot23 mos datasheet
【SI3442CDV-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：279.57KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI3442CDV(VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。应用简介：SI344

SI3442CDV VBsemi sot236 mos datasheet
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：1

大小：288.81KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

所需E币：0

下载：0

大小：296.06KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
【SI2319CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：296.33KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2319CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2319CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2318CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：274.1KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2318CDS-T1-GE3(VB1330)参数说明：极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6.5A；导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：

SI2318CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet

最新资讯