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【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【Si1553CDL-T1-GE3-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V

Si1553CDLT1GE3VB NP 沟道 SC706 封装 mos datasheet
【Si1922EDH-T1-GE3-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：Si1922EDH-T1-GE3-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：2A-静态导通电阻（RDS(ON

Si1922EDHT1GE3VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【SI2300DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2300DS-T1-GE3参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：SI2300DS-T1-

SI2300DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:SI2301ADS-T1-GE3-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-20V-最大电流:-4A-静态导通电阻(RDS(ON)):57mΩ@4.5

SI2301ADST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2301BDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压

SI2301BDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5

SI2301CDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2301DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2301DS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：

SI2301DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2302ADS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2302ADS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8

SI2302ADST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2302CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2302CDS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT2

SI2302CDST1GE3 VBssemi sot23 mos datasheet
【SI2302DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

SI2302DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
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型号：SI2302DS-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5

SI2302DSVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2305ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2305ADS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。

SI2305ADST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2305CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2305CDS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

SI2305CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2307DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号:SI2307DS-T1-GE3丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-5.6A -开通电

SI2307DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2308DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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名称：SI2308DS-T1-GE3 型号：VB1695 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-RDS(ON)：85mΩ@10V

SI2308DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet