消费电子-原理图资料下载_第58页-面包板社区

【SI4953DY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：SI4953DY-T1-E3丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-频道类型：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电

SI4953DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI6913DQ-T1-GE3-VB】2个P沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-

SI6913DQT1GE3VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
【SI7478DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SI7478DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1606品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：90A-静态开启电阻（RDS(ON)）：6mΩ@10V-门源

SI7478DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
【SI9424DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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详细参数说明：-型号：SI9424DY-T1-E3-VB-丝印：VBA2216-品牌：VBsemi-参数：P沟道，-20V，-8A，RDS(ON)，16mΩ@4.5V，19.2mΩ@2.5V，15Vg

SI9424DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI9435BDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI9435BDY-T1-E3-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-6A-导通电阻：40mΩ（在10V下）-导通电阻：54mΩ（在4.5V下

SI9435BDYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI9435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI9435DY-T1-E3-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-6A-开通电阻：40mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)-

SI9435DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI9945AEY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI9945AEY-T1-E3(VBA3638)参数说明:极性：2个N沟道；额定电压：60V；最大电流：6A；导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：

SI9945AEYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI9945BDY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:SI9945BDY-T1-E3丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):6A -开通电阻

SI9945BDYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI9948AEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SI9948AEY-T1-E3丝印：VBA4658品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-5.3A-开通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70

SI9948AEYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SiA400EDJ-T1-GE3-VB】N沟道DFN6(2X2)封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：30V-最大漏极电流：5.8A-导通时的电阻（RDS(ON)）：22mΩ@10V,28mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SiA400EDJT1GE3 VBsemi DFN62X2 mos datasheet
【SIR422DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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SIR422DP-T1-GE详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-额定电流：75A-导通电阻：4.7mΩ@10V,6mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.9Vth(V)

SIR422DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
【SIR802DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SIR802DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1302品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：160A-导通电阻（RDS(ON)）：1.8mΩ@1

SIR802DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
【SM2300NSAC-TRG-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM2300NSAC-TRG-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：20V-最大持续电流（Id）：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V

SM2300NSACTRGVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V

SM3113NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SM4027PSU-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM4027PSU-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-静态开启电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-

SM4027PSUVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SM4028NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM4028NSUC-TRG-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：40V-最大连续电流：85A-静态开启电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10V,5mΩ@

SM4028NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SM4307PSKC-TRG-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SM4307PSKC-TRG-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-11A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs

SM4307PSKCTRGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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