消费电子-原理图资料下载_第59页-面包板社区

【SM4953KC-TRG-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SM4953KC-TRG-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-开态电阻(RDS(ON))：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,2

SM4953KCTRGVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SPB80P06PG-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SPB80P06PG-VB丝印：VBL2625品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-80A-导通电阻（RDS(ON)）：21mΩ@10V,25m

SPB80P06PGVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
【SPP3407DS23RGB-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

丝印：VB2355品牌：VBsemi型号：SPP3407DS23RGB-VB参数说明：-电源电压（Vds）：-30V-电流（Id）：-5.6A-开关电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,56mΩ@

SPP3407DS23RGBVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SQ9945BEY-T1-GE3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：SQ9945BEY-T1-GE3丝印：VBA3638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5

SQ9945BEYT1GE3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SQD40P10-40L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SQD40P10-40L-GE3-VB丝印：VBE2104N品牌：VBsemi参数：P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs(±V)；-1.

SQD40P1040LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SQD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：SQD50P06-15L-GE3丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.

SQD50P0615LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SSC8022GS6-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SSC8022GS6-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.

SSC8022GS6VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSC8035GS6-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SSC8035GS6-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏极电流：-5.6A-漏极-源极电阻：47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极

SSC8035GS6VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSD12P10-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SSD12P10-VB丝印：VBE2102M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-100V-最大连续电流：-10A-静态开启电阻（RDS(ON)）：188mΩ@10V,195m

SSD12P10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SSF2341E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SSF2341E-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-开通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源极电压：12V

SSF2341EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSM3J328R-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SSM3J328R-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V，5

SSM3J328RVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSM3J332R-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SSM3J332R-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V，5

SSM3J332RVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSM3K301T-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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详细参数说明：型号：SSM3K301T-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-工作电压：20V-额定电流：6A-开态电阻：RDS(ON)=24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V

SSM3K301TVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【ST2302-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：ST2302丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-RDS(ON)：24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V-门源电压范围：8V-门源阈值电

ST2302VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【ST2341S23RG-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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ST2341S23RG(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：ST

ST2341S23RG VBsemi sot23 mos datasheet
【STB30NF20-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STB30NF20-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：200V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V-门

STB30NF20VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet

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