消费电子-原理图资料下载_第52页-面包板社区

【NTD5865NL-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：NTD5865NL-1G-VB丝印：VBFB1615品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：50A-开通电阻：10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)

NTD5865NL1GVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【NTD5865NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD5865NLT4G-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：60A-静态开启电阻(RDS(ON))：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V-

NTD5865NLT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD5867NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTD5867NLT4G(VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。应用简介：NT

NTD5867NLT4G VBsemi TO252 mos datasheet
【NTE4153NT1G-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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NTE4153NT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：1A-导通电阻：200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：0.6Vth(V)-

NTE4153NT1GVB 沟道 SC753 封装 mos datasheet
【NTF2955PT1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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NTF2955PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-6.5A-导通电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1~-3Vth(

NTF2955PT1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：NT

NTF2955T1G VBsemi SOT223 mos datasheet
【NTF3055-100T1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：NTF3055-100T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：4A-RDS(ON)：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压（Vg

NTF3055100T1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NTF3055L108T1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：NTF3055L108T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大电流：4A-开通态电阻：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈

NTF3055L108T1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NTF6P02T3G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：NTF6P02T3G丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-6A-导通电阻：42mΩ@10V,49mΩ@4.5V-门源电压

NTF6P02T3GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NTGS3136PT1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：NTGS3136PT1G-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V

NTGS3136PT1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【NTGS3443T1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTGS3443T1G-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-4.8A-开态电阻(RDS(ON))：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20V

NTGS3443T1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【NTGS3455T1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：NTGS3455T1G丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源

NTGS3455T1G VBsemi sot236 mos datasheet
【NTGS4141NT1G-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NTGS4141NT1G-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门

NTGS4141NT1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【NTJD4001NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:NTJD4001NT1G-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:2A-静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,1

NTJD4001NT1GVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是

NTJD4401NT1G VBsemi SC706 9882 datasheet
【NTMD4840NR2G-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NTMD4840NR2G-VB丝印：VBA3316品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道场效应管(N-channelMOSFET)-额定电压：30V-额定电流：8.5A-漏极电阻：RDS(ON)

NTMD4840NR2GVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTMS4177PR2G-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：NTMS4177PR2G-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

NTMS4177PR2GVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet