MOS管是我们电路设计中使用的十分广泛的一个器件，例如在开关应用中(例如：降压，升压），LDO中工作在饱和区的MOS管(其中有使用NMOS和PMOS，这个问题有考虑过吗？）。因此，下面我们就详细解读下MOS的各个参数的含义。或许就能回答上面的问题了。下图是MOS管的等效电路。

1.Rds(on）：导通电阻。决定MOSFET的导通损耗, RDS(ON)越大, 损耗越大, 温升也越高。在一些较大功率电源中，我们要注意这个值，并且要综合考虑壳温，结温和环温，防止MOS过热。一般NMOS的Rds(on）也要小于PMOS，这个也是上面关于LDOmos问题的一个原因。

2.Id:连续漏电流。漏极允许通过的最大直流电流值。这个值受到导通阻抗，封装等的制约 。实际的应用中电路电流通常小于 Id /3。这个值受温度和封装的影响。

3.寄生电容：Ciss：输入电容；Coss输出电容；Crss：米勒电容。这3个寄生电容的关系如第一张图。他们之间相互影响，其中一个关键电容就是Cgd米勒电容。Cgd的值不是恒定的，Vgs的电压值也会影响Cgd米勒电容的值。其中我们电源中经常会碰到”电源台阶”，这个问题就经常和米勒电容有关。然而米勒电容也不全是坏处，当我们电路中需要缓启动也可以利用米勒电容。

4.Vds.D-S间所能施加的最大电压值,很多MOSFET用户的设计规则要求10%～20%的降额。 该特性与温度成正比。