如上图所示，就是接在BOOT和SW管脚之间的一个电容，一般情况下，常用0.1uF即可满足要求。那加这个电容的作用是什么？先来了解一下基本概念：自举电容其核心的作用就是通过电容充放电过程，把低侧电压与电源叠加形成更高的驱动电压，主要用于控制高侧功率器件（比如MOS管）的栅极，使之顺利导通。可能对于一些初学者来说，上面这段话过于抽象了，那我们换个角度去思考。
我们尝试从DC-DC的基本拓扑来展开，可能大伙更容易接受。（1）使用PMOS搭建的电源拓扑，如下图所示：
从上图可以知道，要使MOS管导通，只需要满足输入的PWM为低电平（0V）即可（Vgs<0）。那如果说把上图中的PMOS更换成NMOS呢？会怎样，如下图所示：
那要想上图中的NMOS管导通就需要满足Vgs>0，那怎么样才能让PWM的电压高于S极呢？这时候，加上自举电容就能解决这个问题了。这个时候，有小伙伴就会问了，那么麻烦，直接用PMOS不就行咯！是的，直接用PMOS是没有问题，市面上不用自举电容的DC-DC芯片也是有的，比如TLV62569PDDCR，如下图所示：
但从MOS管的生产工艺上看，PMOS的导通电流可以做不到很大，相同成本下，NMOS电流可以做到很大(Rdson相对较低)。我们以TPS54202DDCR内部框架图来举例，如下图所示：
上图中我们可以看出是有两个NMOS管的，一个在上面，一个在下面，分别称为高侧MOS管和低侧MOS管。假如某一时刻低侧MOS管导通了，那自举电容会如上图中的红色路径所示进行充电，直到充到和Boot Charge一样的电压。而此时DC-DC芯片是处于续流的状态，续流路径如上图黄色箭头所示。输出主要靠电感和电容维持。当低侧MOS管被关闭时，要想让高侧MOS管导通，就必须满足Vgs>0,而高侧MOS的S极是接在SW（输出端），G极是接在内部的高侧驱动器，而自举电容直接并在BOOT和SW之间，在低侧MOS管关闭，高侧MOS管需要导通时，此时自举电容就会向高侧MOS提供导通能量，使之满足导通条件Vgs>0，这样，就可满足下一个循环了。高侧MOS管关闭时，下侧MOS管导通，继续为自举电容进行充电，然后下管MOS关闭，自举电容放电，高侧MOS导通。其实不单单是DC-DC电路中有用到自举电容，驱动电机的H桥驱动电路中也同样采用这种方式，原理都是一样。
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