上一讲我们介绍完了前段STI 模块形成的过程，我们继续介绍前段的另一个模块。即阱(Well)定义模块。

阱（Well）是指在硅表面注入掺杂物的局部区域，以调整其电气特性并优化晶体管性能。阱还通过在邻近PMOS和NMOS器件之间建立二极管屏障，增强了浅沟槽隔离提供的电气隔离效果。

1. DNW（Deep NWell) IMP（PR Strip 步骤已省略，下同）

一般在做IMP之前，要先Coating 光阻(更先进的节点可能需要加BARC/TARC，比如在28节点以下），然后曝光显影定义出需要IMP的位置。对于DNW我们一般会打P并且IMP会分几次注入。

2. LVPW IMP

一般的普通的Logic 器件会分Core区和IO区。此处我们做打core区的IMP。

LV=Low Voltage，SV=RV=Standard Voltage=Regular Voltage

HV=High Voltage 一般通过IMP反型离子/元素的剂量来调控阈值电压（Threshold Voltage）

3. IOPW IMP

4. LVNW

5. IONW

6. Well Anneal

最后通过退火（Anneal）激活注入的杂质并修复损伤。

7. 注：正常Well IMP会打三次主要原因是为了注入不同的深度。

第一次离子注入较深，能量很高，调节阱的浓度，降低阱的电阻，有效防止闩锁效应（Latch Up)。

第二次离子注入较浅，能量较低，调节沟道浓度,防止器件源漏穿通漏电（APT=Anti-Punch Through)。

第三次离子注入主要集中在表面，能量很低，主要调节器件的阈值电压。

Well 模块比较Care的点有PR residue以及Thermal budge和Plasma induce damage等

我们继续介绍前段Dual Gate Oxide模块和Poly Gate模块。

(一）DGO Module

1.DGO Growth

在长Gate Ox前先做一道Wet clean 去除表面的PA和一些污染源。然后通过炉管的方式长一层大约40A左右的Ox，用PR挡住需要做厚栅氧部分，用干发刻蚀去除薄栅氧。做完的示意图如下：

接下来通过ISSG的方法继续长一层30A左右的薄Ox。

ISSG=In-situ Steam Generation 原位水气生成

反应式：Si + 2O2 + 2H2→SiO2 + 2H2O

一种新型低压快速氧化技术，主要用于超薄氧化物薄膜生长，由于原子氧的强氧化作用，其最终得到的氧化物薄膜体内缺陷少，界面态密度小，氧化物的薄膜质量较高。

此外，此处通常用ISSG+DPN+PNA的方式。

DPN：Decoupled Plasma Nitridation

PNA：Post Nitridation Anneal

主要目的是：

(1).ISSG oxide has best uniformity, corner rounding.

(2).With DPN and PNA,  increase GOX k value.

（二）Poly Gate Module

1.Poly deposition

首先Dep一层1000A的Poly，接下来做一道Poly Pre-doping.

Q:Why need pre-doping activation?

A:1.To re-distribute pre-doping profile. Make pre-doping ion profile more uniform in poly for easier etch recipe tuning.

2.Reduce Poly depletion.

Q：What is poly depletion?

Poly depletion

Factors of poly depletion:

• Silicide suck-out effects

• Insufficient implant dose

• Dopant evaporation

Poly depletion results in:

• Reduced inversion capacitance Þ“artificially” thicker oxide

• Reduced current drive

Poly depletion is improved with:

• Poly gate changed to metal gate

• Sufficient Poly doping or ION activation

  
  

2.Poly hardmask oxide deposition

用CVD的方式沉积一层350A左右的oxide,Coating PR+BARC.

3.Poly cut

到此。Poly 模块已经结束，接下来一讲会给大家介绍侧墙工艺（Spacer Sidewall）

(一).SAB（ Self Aligned Silicide Block自对准金属硅化物阻挡层)工艺

1. LTO & SiN DepS/D IMP做完后，继续Dep 一层LTO（低温氧化层），然后进行Spike Anneal（和S/D的Anneal merge在一起，降低thermal）。用PECVD的方式沉积一层150A左右的SiN，接下来用PR遮挡住non-silicide的区域。

2.PR Strip & Oxide Etch

用O2和HF分别拔掉PR和Ox,然后用PVD的方式沉积Ni金属。

3.NiSix Anneal（Double）

Ni沉积完通过第一次Anneal1形成高阻态的NiSix,然后去除多余未反应的metal Ni，接下来进行第二次Anneal2形成稳定低阻态的NiSi2  silicide.

(二).ILD Module

1. ILD Dep

   用HARP的方式Dep一层大约8000A左右的Ox,然后通过CMP磨掉大约4000A的Ox，再过一道Wet clean。