在实际应用中，MOS管常常存在各种漏电流，这使得它严重减少了低功耗设备电池的使用寿命，以及在一些s&h电路中，限制了信号保持时间。而一个理想的MOS管是不应该存在任何电流流入衬底的，特别是当MOS管关断时，漏-源极之间不应该存在任何电流。

那么，今天我们来了解MOS管以下5种漏电流。反偏结泄漏电流：当MOS管关断时，通过反偏二极管从源货漏极到衬底。其主要由两部分组成：1. 由耗尽区边缘的扩散和漂移电流产生2. 由耗尽区中的产生的电子-空穴对形成在一些重掺杂的PN区，还会携带一些间隧穿（BTBT）现象贡献的泄漏电流。不过源漏二极管和阱二极管的结反向偏置泄露电流分量，相对于其他三个泄漏分量几乎可以忽略不计。栅极致漏极泄漏电流栅极致漏极泄漏电流一般由MOS管漏极结中的高场效应引起的。由于源极和漏极重叠区域之间存在大电场而发生隧穿（包含雪崩隧穿和BTBT隧穿），产生了 电子-空穴对。由于电子被扫入阱中，空穴积累在楼中形成/GIDL。栅极与漏极重叠区域下的强电场，会导致深度耗尽区，以及使漏极和阱交界处耗尽层变薄，因而有效形成漏极到阱的电流/GIDL。/GIDL与VGD有关，一般NMOS的/GIDL会比PMOS的大两个数量级。栅极直接隧穿电流栅极泄漏电流是由栅极上的电荷隧穿过栅氧化层进入阱（衬底）中形成。一般栅氧化层厚度在3-4nm，由于在栅氧化物层上施加高电场，电子通过Fowler-Nordheim隧道进入氧化物层的导带而产生的/G。随着晶体管长度和电源电压的减小，栅极氧化物的厚度也必须减小，以维持对沟道区域的有效栅极控制。不幸的是，由于电子的直接隧穿会导致栅极泄漏呈指数级增加。目前可以使用高K介电材料（如TiO2和Ta2O5），替代SiO2作为栅极绝缘体介质层。这种方法可以克服栅极漏电流，并同时对其栅极保持良好的控制。亚阈值泄漏电流：指沟道处于弱反型状态下的源漏电流，是由器件沟道少数载流子的扩散电流引起的。当栅源电压低于阈值电压Vth时，器件不会马上关闭，而是进入了“亚阈值区”而IDS成了VGS的指数函数。在目前的CMOS技术中，亚阈值泄漏电流ISUB会比其他泄漏电流分量大得多。这主要是因为现代CMOS器件中的VT相对较低。隧穿栅极氧化层漏电流在短沟道器件中，薄栅极氧化物会在 SiO2 层上产生高电场。由于高电场作用，低氧化物厚度会导致电子从衬底隧穿到栅极，同时从栅极通过栅极氧化物，隧穿到衬底，进而形成栅极氧化物的隧穿电流。(a)是一个平带 MOS 晶体管，即其中不存在电荷。当栅极端子正偏置时，能带图会发生变化，如图(b)。强烈反转表面处的电子隧道进入或穿过 SiO 2层，从而产生栅极电流。另一方面，当施加负栅极电压时，来自 n+ 多晶硅栅极的电子隧道进入或穿过 SiO 2层，从而产生栅极电流，如图 (c) 所示。