传统的防反保护电路，一般采用的都是PMOS管。将PMOS的G极接电阻到地（GND），当输入端连接正向电压时，电流流过PMOS的体二极管到负载端。如果正向电压超过 PMOS的门限阈值，主通道则导通。即PMOS的Vds压降变低，电流都从主沟道导通，实现了低损耗和低温升。
传统PMOS防反保护
我们来看这个电路，MOS的两端电压，也就是体二极管压降电压，它大于mos管的VGS电压，mos管导通，这时体二极管被短路，体二极管的压降电压不存在了。
R1是LED的分压限流电阻，导通后LED被点亮，电源正常接入。
不过，用PMOS来作防反接电路有三个缺点。一个是系统待机电流大：VGS驱动和保护电路会存在暗电流损耗，两者是由齐纳二极管和的限流电阻R组成的，而限流电阻会影响整个待机功耗。如果这时提高R的取值，稳压管就没办法可靠导通，VGS也会存在过压的风险，并且会影响PMOS的开关速度。另一个是存在反灌电流：在输入电源跌落测试时，PMOS在输入电压跌落时依旧保持导通，此时电容电压会让电源极性反转，导致系统电源故障并中断。
最后就是成本问题：
我们都知道PMOS的成本较高，因此PMOS作防反保护一般适合用于电流超过3A以上的大电流的场景。
免责声明：本文转自网络，版权归原作者所有，如涉及作品版权问题，请及时与我们联系，谢谢！
0
