过流保护电路利用运放感知电流，通过分流电阻产生压降，与预设电压比较控制MOS管开关。需注意电位计设置、稳定电源及滞后电路的设计。元件包括电源、LM358、MOSFET等。

通常在关闭负载之前，检测负载电流是很重要的。今天分享一个网上的过流保护电路，它利用运放来感知电路是否有过流发生。电路设计：-至少12V的电源-LM358-IRF540N-100uf/25V的电容-散热器-50kΩ电位计-精度1%的1kΩ和100kΩ电阻-1MΩ电阻-1Ω分流电阻，额定功率为2W这是电路所需要的元器件，这里的MOSFET型号是IRF540N，可以用VBL1104N更好代替。工作原理当MOS管导通时，负载电流从漏极流向源极，然后通过R1导向GND。一般检测电流就是通过这个分流电阻R1,（1Ω 2W），它会产生一个压降。这个压降是怎么算呢？这就要利用欧姆定律了（V=I x R）：如果是1A的负载电流，分流电阻的压降就是1V。也就是说可以对比这个电压和使用运放时预设的电压，去检测过流情况，然后改变MOS管的状态，切断负载。那电压是怎么控制MOS管的开关呢？这个LM358是比较器，它能够比较两个值的大小，一个是R1的压降，一般导入比较器的反向引脚，另一个是RV1生成的预设电压，导入的是比较器的同向引脚。这里的RVI的主要作用是分压。也就是说，当感应电压小于这个预设电压时，RV1会在输出这里生成正电压（接近VCC），相反就是负电压（接地，为0V），这就能控制MOS管了。不过要注意：如果将电位计RV1的1A设置为MOS管关断的阈值，比较器检测到的R1压降可能是1.01V，这会导致比较器（LM358）断开负载，暂态响应提高了预设电压，让比较器工作在线性。所以最好是在比较器使用稳定电源，让瞬态改变不会影响比较器的输入电压和参考电压。此外，比较器需要加入滞后，比如这个100kΩ的R4和稳压器LM7809，有小伙伴知道这两个的作用吗？可以在评论区一起留言，探讨下这个电路设计！