2)器件失效分析:芯片EOS失效IV测试确认Vin对地短路外观、声扫未见明显异常,Xray发现疑似烧毁开盖发现芯片EOS烧毁,但烧毁最严重的点不是Vin,而是VCNTL脚3)根因分析:怀疑VCNTL引入过电应力导致芯片失效VCNTL管脚定义如下,该管脚为输入脚,因此有可能发生过电压应力细部分析,发现VCNTL-VIN链路有金属熔融形貌,同时测量VCNTL-VIN的IV,发现呈短路,因此该芯片是因VCNTL引入过电应力导致失效。芯片逻辑框图分析:故障现象与逻辑功能框图matching。
去顶层金属,明确VCNTL引入过电应力导致芯片失效
4)返回板级确认,经分析确认因板上外围其他器件损伤,导致VCNTL管脚的电压应力超过其规格值。因此,该芯片是“受害者”。
EOS在失效分析中是比例最高的现象,如何通过EOS的故障现象找到根因是一个难点,需要分析者有清晰的逻辑思维以及丰富的知识面。