LDO失效分析
硬十
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2024-11-25
今天,介绍一个3A线性调整器的失效分析,介绍如何通过现象找到根因的方法。1)芯片故障描述:Vin对地短路
2)器件失效分析:芯片EOS失效IV测试确认Vin对地短路外观、声扫未见明显异常,Xray发现疑似烧毁开盖发现芯片EOS烧毁,但烧毁最严重的点不是Vin,而是VCNTL脚3)根因分析:怀疑VCNTL引入过电应力导致芯片失效VCNTL管脚定义如下,该管脚为输入脚,因此有可能发生过电压应力细部分析,发现VCNTL-VIN链路有金属熔融形貌,同时测量VCNTL-VIN的IV,发现呈短路,因此该芯片是因VCNTL引入过电应力导致失效。芯片逻辑框图分析:故障现象与逻辑功能框图matching。
去顶层金属,明确VCNTL引入过电应力导致芯片失效
4)返回板级确认,经分析确认因板上外围其他器件损伤,导致VCNTL管脚的电压应力超过其规格值。因此,该芯片是“受害者”。
EOS在失效分析中是比例最高的现象,如何通过EOS的故障现象找到根因是一个难点,需要分析者有清晰的逻辑思维以及丰富的知识面。
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相同的硅芯片用于三种不同的集成电路,使用微小的内部保险丝来改变其功能。
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第一个电路是我素未谋面的朋友抄的电路,这个电路是在一个已经量产产品上的电路,所以说大家也是可以放心借鉴与参考(可以适当增加防护或缓起等)。做低功耗的应该会比较实用,因为断电就是0功耗(仅有一点点PMOS漏电),非常好用省电。
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