我们直接进入主题，先看图（MOS管的等效模型）：图1就如上图所示，MOS就不单纯是一个MOS了，Cds,Cgd,Cgs就是MOS的寄生电容，在制造的时候寄生电容是与生俱来的，由结构特性所决定，无法消除。在图1中输入电容Cin=Cgs+Cgd输出电容Cout=Cds+Cgd其中，米勒电容也叫反向传输后电容，即CRSS=Cgd  CRSS:反向传输电容。而Cdg不是恒定不变的，它会随着S极和D极之间的电压变化而变化。米勒效应的定义： 指的是MOS管G极和D极之间的CRSS(反向传输电容)在开关的作用下引起的瞬态变化的现象。以NMOS为例，如下图所示：VG驱动MOS管时，可以简单的看成给输入电容充放电的一个过程，如下波形图所示：米勒效应图接下来，我们分阶段来分析米勒效应这个波形。t0~t1阶段，电流Ig给寄生电容Cgs进行充电，注意，t1之前MOS还是处于关闭状态，也就是这个时刻的电压未能达到MOS管的导通阈值Vg(th)，直到升到t1时刻Vgs才上升到Vg(th)。t1~t2阶段，此阶段Ig依旧给Cgs充电，MOS管开始导通，Id电流开始稳步上升。t2~t3阶段，这个阶段MOS管开始进入米勒平台时期，这个时期Ig开始转移到给Cgd进行充电，此时Id最大，Vds开始下降，Vgs电压维持不变。t3~t4阶段，这个阶段Vgs会持续上升到MOS完全导通，而米勒电容Cgd也是这个时期充满。

如何减少米勒效应：危害：MOS管米勒效应产生的米勒平台，会直接影响驱动电压和MOS开通阶段的时间，也会影响MOS截止阶段驱动电压的下降时间，加长整个开关时间，增加损耗，降低整体效率。措施1：减小驱动电阻和提高驱动电压，本质上就是提高驱动电流，加快电容的充电时间。措施2：优化PCB布线，尽量缩短驱动信号线的长度，加大宽度，以减少寄生电感。措施3：选择Cdg较小的MOS管。措施4：使用零电压开关技术。好了，今天就先到这吧！祝大伙周末愉快！