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如何选择全定制与半定制ASIC设计
ASIC分为全定制和半定制。全定制设计需要设计者完成所有电路的设计，因此需要大量人力物力，灵活性好但开发效率低下。如果设计较为理想，全定制能够比半定制的ASIC芯片运行速度更快。半定制使用库里的标准逻辑单元(...
09-12 190浏览 -
物理地址在不同计算机体系中的表现如何？
在存储器里以字节为单位存储信息，为正确地存放或取得信息，每一个字节单元给以一个唯一的存储器地址，称为物理地址(Physical Address)，又叫实际地址或绝对地址。 地址从0开始编号，顺序地每次加1，因此存储器的...
09-12 125浏览 -
假芯片对电子行业的影响分析
芯片的重要性不言而喻，可以说，一切智能电子设备都离不开芯片。但是，由于目前芯片相对短缺，因此市场上出现了部分假芯片。为增进大家对芯片的认识，本文将对假芯片的相关内容予以介绍。如果你对芯片具有兴趣，不...
09-12 121浏览 -
语音芯片在儿童玩具中的创新使用
芯片是一种非常重要的电子器件，可以说，芯片制作能力强的企业或者国家都占据着重要地位。为增进大家对芯片的认识，本文将对语音芯片的应用范围、语音芯片的选择予以介绍。如果你对语音芯片具有兴趣，不妨继续往下...
09-12 88浏览 -
语音芯片在日常生活中的应用有哪些？
芯片在诸多产品中都有所应用，如手机处理器芯片、蓝牙芯片、AI芯片等等。虽然我们可能对芯片的底层知识并不了解，但是对于芯片的作用，还总是能说出个一二三。为增进大家对芯片的认识，本文将对语音芯片如何录音、...
09-04 121浏览 -
压力变送器的常见故障及解决方案是什么？
压力变送器在工业环境中具有重要应用，对于压力变送器，电气等专业的朋友相对更为熟悉。为增进大家对压力变送器的认识，本文将基于两点介绍压力变送器：1、压力变送器的日常维护，2、压力变送器如何校准。如果你对...
09-04 115浏览 -
电子元器件散热方法的常见误区
元器件是电子领域的基本元件，很多重要的设备都是通过元器件构建起来的。为增进大家对电子元器件的认识，本文将对元器件的几种常见的散热方法予以详细介绍。如果你对元器件具有兴趣，不妨和小编一起来继续往下阅读...
08-26 133浏览 -
如何评估弹坑对电子元件的影响
弹坑的形成 芯片弹坑的形成主要是由于压焊时输出能量过大，导致芯片压焊区铝垫受损而导致裂纹。弹坑现象在Wire Bonding封装过程中是一个常见的问题，弹坑和Pad失铝都是在封装过程中压焊芯片时产生的不良现象。 弹坑是由于压焊时输出能量过大，使芯片压焊区铝垫下层Barrier或Oxide受损而留下裂纹；而Pad失铝则是由于压焊时输出能量过大，使芯片压焊区铝层与阻挡层撕裂分层，导致铝层脱落。 这两种现象都是制造过程中失效机理之一，其产生的原因主要包括工艺参数设置不当，形成的原因可能是超声功率、压力、压焊时间以及温度的设置不当，这些因素都会直接影响压焊质量。 如果压焊前芯片压焊区已被污染，那么压焊的工艺参数就需要根据实际情况重新设置，以保证压焊的键合强度，但这同时也增加了弹坑或失铝的风险。 弹坑的形貌 弹坑的形貌多为线型裂纹或弧形裂纹或圆形裂纹。压焊过程使用的劈刀口径为圆形，劈刀安装过程为手工安装，安装过程也会存在安装水平问题，导致键合受力不均，此时键合力度过大时会导致压焊区域呈现一边式的弧形裂纹。安装水平良好时，此时键合力度过大时会导致压焊区域呈现圆形或近似圆形的裂纹。 线型裂纹状弹坑 弧型裂纹状弹坑 圆形形貌弹坑 弹坑的风险 01 降低连接可靠性 由于弹坑问题导致的焊线与焊盘之间的连接不良，可能会降低电子元件的可靠性，使产品在使用过程中出现故障。 而球脱和虚焊可以通过外观检查、焊线拉力测试和焊球推力比较直观地被发现，而弹坑的检查方法是需要通过化学的方法去除铝层，在高倍显微镜下检查弹坑损伤。 02 电阻增加 焊线与焊盘之间的连接不良会导致电阻增加，从而降低电子设备的性能和效率。而弹坑是由于焊球在压到芯片焊区表面时，接触力、键合力和键合功率设置匹配不当导致焊区的硅层受到损伤。 如果弹坑损伤比较轻微，弹坑一般呈月牙型，当弹坑损伤比较严重时，弹坑呈圆环型，当弹坑损伤非常严重时，芯片的硅层表面可以看到明亮的硅缺失痕迹。 03 导致开路或短路 严重的弹坑问题可能导致焊线与焊盘之间的连接断裂（开路）或者焊线之间的短路，进一步影响产品的性能和稳定性。而弹坑缺陷导致芯片硅层损伤往往会导致器件产品的电性不良，主要表现为漏电异常、 反向击穿电压低。 漏电流异常由于起初比较小，在后续通电使用中不断劣化增大，往往在出厂前无法通过电性能测试完全筛选剔除，当器件产品在客户长时间通电后，漏 电逐渐增大，进而导致反向击穿电压不断变小，甚至击穿短路，对终端客户的线路功能影响很大。 04 漏电流异常 弹坑会导致芯片在后续的使用中漏电流逐渐增大，这通常在出厂前的电性能测试中无法完全筛选剔除。 05 反向击穿电压降低 弹坑的存在会使芯片的反向击穿电压不断变小，甚至在长时间使用后发生击穿短路，这对终端客户的线路功能有重大影响。 06 影响产品可靠性和功能性 由于弹坑缺陷对器件产品电性能的影响是在后续使用过程中逐渐体现出来的，因此潜伏时间越长，其造成的连锁损失也就越大。
08-13 321浏览 -
实时操作系统RT-Thread与Freertos的对比
Freertos是一个国外推出的一个迷你的实时操作系统内核，开源，功能包括：任务管理、时间管理、信号量、消息队列、内存管理、记录功能、软件定时器、协程等，可基本满足较小系统的需要。 RT-Thread是中国人自己推出的一个集实时操作系统（RTOS）内核、中间件组件和开发者社区于一体的技术平台，开源os，RT-Thread除了有常规RTOS的功能，还具备一个IoT OS平台所需的所有关键组件。例如GUI、网络协议栈、安全传输、低功耗组件等等。下面比较一下Freertos和RT-Thread 在内核、支持的组件、驱动： freertos简称FR，rt-thread简称RT。首先FR和RT基本定位都是IoT系统。 1 、背景 FR是亚马逊旗下，RT背景和应用相对较弱。而国内没有大企业支持RT，而是各自开发IoT系统，华为-liteOS、腾讯TencentOS tiny、阿里AliOS Things。群雄割据，RT生存空间可想而知。 2、软件包和组件 FR和亚马逊IoT云服务结合是比较好的，国内组件结合度应该RT占优,例如阿里云。 3 、学习资料 RT有中文文档，FR有正点原子等众多视频4 文件：确实如下面RT介绍的，RT是一个包含组件的包，包含的东西很多，打开就能用。FR不是很清楚。从文件大小来说，RT 一百多MB，FR只有几MB。RT-Thread 与其他很多 RTOS 如 FreeRTOS、uC/OS 的主要区别之一是，它不仅仅是一个实时内核，还具备丰富的中间层组件。内核层：RT-Thread 内核，是 RT-Thread 的核心部分，包括了内核系统中对象的实现，例如多线程及其调度、信号量、邮箱、消息队列、内存管理、定时器等；libcpu/BSP（芯片移植相关文件 / 板级支持包）与硬件密切相关，由外设驱动和 CPU 移植构成。组件与服务层：组件是基于 RT-Thread 内核之上的上层软件，例如虚拟文件系统、FinSH 命令行界面、网络框架、设备框架等。采用模块化设计，做到组件内部高内聚，组件之间低耦合。RT-Thread 软件包：运行于 RT-Thread 物联网操作系统平台上，面向不同应用领域的通用软件组件，由描述信息、源代码或库文件组成。RT-Thread 提供了开放的软件包平台，这里存放了官方提供或开发者提供的软件包，该平台为开发者提供了众多可重用软件包的选择，这也是 RT-Thread 生态的重要组成部分。软件包生态对于一个操作系统的选择至关重要，因为这些软件包具有很强的可重用性，模块化程度很高，极大的方便应用开发者在最短时间内，打造出自己想要的系统。RT-Thread 已经支持的软件包数量已经达到60+，如下举例： 物联网相关的软件包：Paho MQTT、WebClient、mongoose、WebTerminal 等等。 脚本语言相关的软件包：目前支持 JerryScript、MicroPython。 多媒体相关的软件包：Openmv、mupdf。 工具类软件包：CmBacktrace、EasyFlash、EasyLogger、SystemView。 系统相关的软件包：RTGUI、Persimmon UI、lwext4、partition、SQLite 等等。 外设库与驱动类软件包：RealTek RTL8710BN SDK。
08-09 517浏览 -
6步进行芯片失效分析的案例
失效分析工作是一个及其复杂的过程，它需要多学科相互交叉。 芯片失效分析的步骤 1. 外观检查。 2. X-ray。 3.声学扫描显微镜检查。 4.I-V曲线测试。 5.化学解封装后内部视检。 6.微光显微镜检查。 芯片失效分析案例 1. 案例背景 收到客户样品2Pcs芯片，客户描述1Pc为NG样品，另1Pc为OK样品，根据客户要求进行失效分析原因。 2.分析方法简述 2.1 外观检查 OK芯片外观形貌 NG芯片外观形貌 说明：光学显微镜检查显示OK样品正面、背面以及侧面无其他明显外观异常。检查显示NG样品正面、背面及侧面均有助焊剂残留及黑胶残留。 2.2 X-射线检查 OK芯片X-Ray形貌 NG芯片X-Ray形貌 说明：X-射线检查显示OK样品与NG样品内部形貌一致，内部键合线不一致，无其他明显内部异常。 2.3声学扫描显微镜检查 OK芯片C-SAM形貌 NG芯片C-SAM形貌 说明：声学扫描显微镜检查显示OK样品与NG样品芯片表面及引线框面均无明显异常。 2.4 I-V曲线测试 OKI-V曲线测试图 NGI-V曲线测试图 说明： I-V测试曲线分析（电流500uA/电压500mV），NG样品测试曲线有VCC对GND存在差异，可能存在微漏电情况。 2.5 化学解封装后内部视检 OK芯片化学解封装后内部形貌 NG芯片化学解封装后内部形貌 说明：化学解封装后光学显微镜检查显示OK样品与NG样品形貌一致，无其他异常特征。 2.6 微光显微镜检测 NG样品微光显微镜检测形貌 说明:微光显微镜检测（5V电压、1mA电流）显示NG样品芯片GND对VCC间存在漏电异常现象。 失效分析结论 对客户提供的NG样品芯片进行外观检查，I-V测试曲线分析以及结合微光显微镜检测结果，推测芯片失效的原因是芯片内部轻微漏电，导致工作异常。
07-26 154浏览
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