1. Flash 存储器

（1）Flash 存储器是一种非易失性存储器，根据结构的不同可以将其分为 NOR Flash 和 NAND Flash 两种。

（2） Flash 存储器的特点：

A、 区块结构：在物理上分成若干个区块，区块之间相互独立。

B、 先擦后写：Flash 的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。擦除操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。

C、 操作指令：执行写操作，它必须输入一串特殊指令（NOR Flash）或者完成一段时序（NAND Flash ）才能将数据写入。

D、 位反转：由于 Flash 的固有特性，在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。

E、 坏块：区块一旦损坏，将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。

（3） NOR Flash 的特点：

应用程序可以直接在闪存内运行，不需要再把代码读到系统 RAM 中运行。NOR Flash 的传输效率很高，在1MB~4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

（4） NAND Flash 的特点

能够提高极高的密度单元，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的 U盘都使用 NAND Flash 作为存储介质的原因。应用 NAND Flash 的困难在于闪存需要特殊的系统接口。

（5）NOR Flash 与 NAND Flash 的 区别：

A、NOR Flash 的读速度比 NAND Flash 稍快一些。

B、NAND Flash 的擦除和写入速度比 NOR Flash 快很多

C、NAND Flash 的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。

D、NOR Flash 带有 SRAM 接口，有足够的地址引进来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash 的地址、数据和命令共用8位总线（有写公司的产品使用16位），每次读写都要使用复杂的 I/O 接口串行地存取数据。

E、NOR Flash 的容量一般较小，通常在1MB~8MB 之间；NAND Flash 只用在8MB 以上的产品中 。因此，NOR Flash 只要应用在代码存储介质中，NAND Flash 适用于资料存储。

F、NAND Flash 中每个块的最大擦写次数是一百万次，而 NOR Flash 是十万次。

G、NOR Flash 可以像其他内存那样连接，非常直接地使用，并可以在上面直接运行代码；NAND Flash需要特殊的 I/O 接口，在使用的时候，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在 NAND Flash 上自始至终必须进行虚拟映像。

H、NOR Flash 用于对数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，被成为 代码闪存；NAND Flash 则用于对存储容量要求较高的 MP3、存储卡、U 盘等领域，被成为 数据闪存。

2 、 RAM 存储器

（1）SRAM 的特点：

SRAM 表示 静态随机存取存储器，只要供电它就会保持一个值，它没有刷新周期，由 触发器构成基本单元， 集成度低，每个 SRAM 存储单元由6 6 6 6 个晶体管组成，因此其 成本较高。它具有 较高速率，常用于高速缓冲存储器。

通常 SRAM 有4种引脚：

CE：片选信号，低电平有效。
R/W：读写控制信号。
ADDRESS：一组地址线。
DATA ：用于数据传输的一组双向信号线。

（2）DRAM 的特点：

DRAM 表示 动态随机存取存储器。这是一种 以电荷形式进行存储的半导体存储器。它的每个存储单元由 一个晶体管和一个电容器组成，数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而 DRAM器件是不稳定的。它必须有规律地 进行刷新，从而将数据保存在存储器中。

DRAM 的接口比较复杂，通常有一下引脚：

CE：片选信号，低电平有效。
R/W：读写控制信号。
RAS：行地址选通信号，通常接地址的高位部分。
CAS：列地址选通信号，通常接地址的低位部分。
ADDRESS：一组地址线。
DATA ：用于数据传输的一组双向信号线。

（3）SDRAM 的特点：

SDRAM 表示 同步动态随机存取存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储器阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。它通常只能工作在 133MHz 的主频。

（4）DDRAM 的特点

DDRAM 表示 双倍速率同步动态随机存取存储器，也称 DDR。DDRAM 是基于 SDRAM 技术的，SDRAM 在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而 DDR 内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。在133MHz 的主频下，DDR内存带宽可以达到133×64b/8×2＝2.1GB/s。

3、 GPIO 原理与结构

GPIO 是 I/O 的最基本形式，它是一组输入引脚或输出引脚。有些 GPIO 引脚能够加以编程改变工作方向，通常有两个控制寄存器：数据寄存器和数据方向寄存器。数据方向寄存器设置端口的方向。如果将引脚设置为输出，那么数据寄存器将控制着该引脚状态。若将引脚设置为输入，则此输入引脚的状态由引脚上的逻辑电路层来实现对它的控制。