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系统测试报告实例

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时间：2024.03.05

上传者：随遇而安1992

这是一个系统测试报告的模板，可以根据个人实际工作内容进行填充，形成自己的系统测试报告

系统测试报告实例
性能测试基础

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时间：2024.03.05

上传者：随遇而安1992

课程讲述应用在客户端性能的测试、应用在网络上性能的测试、应用在服务器上性能的测试三个方面的内容

性能测试测试基础
测试工程师培训入门教材

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时间：2024.03.05

上传者：随遇而安1992

这是为培训专业测试人员参加测试工作，而编写的包含测试基础知识的入门培训教材，适合将来参加测试工作的测试人员或者将来参加开发的程序员。

测试工程师培训入门教材
持续集成软件质量改进和风险降低之道

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时间：2024.03.05

上传者：随遇而安1992

本书向我们介绍了一种增加项目可见性、降低项目失败风险的有效实践经验。许多软件开发的资深人士认定，这种方陆非常不错。

持续集成软件质量改进风险降低
大型网站技术架构核心原理与案例剖析

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时间：2024.03.05

上传者：随遇而安1992

本书通过梳理大型网站技术发展历程，剖析大型网站技术架构模式，深入讲述大型互联网架构设计的核心原理，并通过一组典型网站技术架构设计案例，为读者呈现一幅包括技术选型、架构设计、性能优化、Web安全、系统发

大型网站技术架构核心原理案例剖析
重学C++ ，重构你的C++知识体系[源码+PDF文档]

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时间：2024.03.05

上传者：学习菜鸟小弟弟

为什么我们还要学C++因为在贴近底层、追求性能、降低功耗方面，C++几乎没有敌手，小到嵌入式、大到分布式，C++都是解决问题的利器，面向物联网的“嵌入式”开发和面向大型化的“分布式”开发都离不开它5G

重学重构知识体系源码 pdf 文档
[完结16章]深入学习小程序框架底层原理，培养双线程思维

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时间：2024.03.05

上传者：开心就很好了

深入学习小程序框架底层原理，培养双线程思维——前端高手特训从0到1带你手写一个微信小程序底层框架！无论你是一位新手，还是一位有经验的开发者，能够自研一套小程序底层框架，都是你突破技术瓶颈有效途径。我将
IPC-7525C-2021 中文版 CN 模板设计指导

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时间：2024.03.05

上传者：powerstd

IPC-7525C-2021中文版CN模板设计指导

IPC7525C2021 中文版 cn 模板设计指导
【IRF9Z24NSTRLPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±

IRF9Z24NSTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFR4510TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRFR4510TRPBF-VB丝印：VBE1101N品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：70A-RDS(ON)：9mΩ@10V,20mΩ@4.5V-门源电压（V

IRFR4510TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI2314EDS-T1-E3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2314EDS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：20V-最大漏电流：6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V

SI2314EDST1E3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs

SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【HAT1024R-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：HAT1024R-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-**双P沟道：**该器件包含两个P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电

HAT1024RVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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