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【IRFR4104TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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IRFR4104TRPBF-VB是一款由品牌VBsemi生产的N沟道场效应管。它的丝印为VBE1405，型号为TO252。它的主要参数包括工作电压40V、最大漏极电流85A、漏极-源极电阻(RDS(O

IRFR4104TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【SPP3407DS23RGB-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

丝印：VB2355品牌：VBsemi型号：SPP3407DS23RGB-VB参数说明：-电源电压（Vds）：-30V-电流（Id）：-5.6A-开关电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,56mΩ@

SPP3407DS23RGBVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI9435BDY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI9435BDY-T1-E3-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-6A-导通电阻：40mΩ（在10V下）-导通电阻：54mΩ（在4.5V下

SI9435BDYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTD24N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NTD24N06LT4G-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数： -极性：N沟道 -额定电压：60V -额定电流：45A

NTD24N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI6913DQ-T1-GE3-VB】2个P沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-

SI6913DQT1GE3VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
【PMN50XP-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：PMN50XP-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-4.8A-开启电阻：RDS(ON)=49mΩ@10V,54mΩ@4.5V

PMN50XPVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【AM4392N-T1-PF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AM4392N-T1-PF-VB 丝印：VBA1203M 品牌：VBsemi 详细参数说明： -沟道类型：

AM4392NT1PFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4826-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AO4826-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数说明：-2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-开通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-阈值电压：1.5Vth(V)-封

AO4826VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI2309DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2309DS-T1-GE3-VB丝印：VB2658品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-5.2A-开通电阻：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V

SI2309DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【FDV301N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：FDV301N-NL-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-功能类型：N沟道MOSFET-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻：24mΩ（4.5V时），33mΩ（2.5V

FDV301NNLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：AM4599C-T1-PF-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大工作电压：±60V-最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向）-RDS(

AM4599CT1PFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4848DY-T1-E3-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI4848DY-T1-E3-VB丝印：VBA1158N品牌：VBsemi参数：N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V

SI4848DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDC6312P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：FDC6312P-VB-丝印：VB4290-品牌：VBsemi-参数： -2个P沟道 -工作电压：-20V -工作电流：-4A -导通电阻

FDC6312PVB 2个沟道 sot236 封装 mos datasheet
【IPD50P04P4L-11-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IPD50P04P4L-11-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-最大工作电压：-40V-最大工作电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4

IPD50P04P4L11VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD20N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：NTD20N06LT4G-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-硅极电压：20V

NTD20N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STD35P6LLF6-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：STD35P6LLF6-VB-丝印：VBE2625-品牌：VBsemi-功能：P沟道功率MOSFET-最大工作电压：-60V-最大工作电流：-50A-开启电阻(RDS(ON))：

STD35P6LLF6VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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