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    整流二极管……
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    扩散工艺原理第三章扩散工艺三、杂质扩散§1.扩散原理1.恒定表面源扩散扩散过程中,硅片表面杂质浓度始§2.典型工艺终不变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布§3.扩散方法为余误差函数
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    时间:2020.03.11
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    离子注入xcl第四章离子注入工艺§1离子注入工艺设备及原理一.离子注入工艺设备结构2005-3-3012005-3-302图4.1离子注入机结构图4.2离子注入机原理图2005-3-3032005-3
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    化学气相淀积xcl第五章化学气相淀积§1定义及反应方程式一、化学气相淀积定义:指使一种或数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬底发生化学反应,并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为“Chemic
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    氧化工艺§1热氧化工艺一、性质及用途(一).五种用途一、性质及用途(?种)杂质扩散掩蔽膜a二、氧化原理器件表面保护或钝化膜b电路隔离介质或绝缘介质c(SRO三.、氧化方法(?种)-应力释放氧化)四、质
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    第六章光刻工艺(上篇)问题?在同一集成电路制造流程中,经历了同样的一系列加工工艺后:如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、不同结构和尺寸的元件?如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得所要求的电路
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    刻蚀工艺……
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    微电子CMOS流程微电子工艺技术引言集成电路制造工艺流程录像(美国斯坦福大学)12引言以清华大学微电子所北方基地工艺原理课程采用讲课与使用多工艺原理课程采用讲课与使用多CMOS工艺为背景,录制了全套工
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    微电子IC制造……
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    《扩散工艺》作业第二章《扩散工艺》作业1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散,直到磷的固溶度极限。扩散时间为20分钟。预淀积后,硅片表面被密封并在1100℃下做推进扩散。为获得4.0μm的结深,推
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    第一章氧化工艺……
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    第三章离子注入工艺下……
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    RTP……
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    薄膜淀积工艺上……
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    微电子RTP微电子工艺技术课自学报告RTP工艺的应用及其前景微32班张煜磊刘洋成松源谌舟浪微电子工艺技术自学报告RTP工艺的应用及其前景快速热处理(RTP)作为现代先进半导体工艺中必不可少的一个环节,
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    金属化工艺一、基本概念金属化第八章金属化工艺将晶片上制成的各种元器件用互连薄膜材料(通常为金属)的线条连接起来构成具有各种功能的集成电路的工艺。--接触与互连为了将半导体器件与外部有效地联系起来,必须
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    工艺集成技术……