社区首页
博客
论坛
文库
评测
芯语
活动
商城
更多
社区
论坛
博客
问答
评测中心
面包芯语
E币商城
社区活动
资讯
电子工程专辑
国际电子商情
电子技术设计
CEO专栏
eeTV
EE|Times全球联播
资源
在线研讨会
视频
白皮书
小测验
供应商资源
ASPENCORE Studio
EE直播间
活动
IIC Shanghai 2023
2023(第四届)国际 AIoT 生态发展大会
全球 MCU 生态发展大会
第四届临港半导体产业高峰论坛暨司南科技奖颁奖盛典
IIC Shenzhen 2023
第四届中国国际汽车电子高峰论坛
更多活动预告
杂志与服务
免费订阅杂志
电子工程专辑电子杂志
电子技术设计电子杂志
国际电子商情电子杂志
社区每月抽奖
登录|注册
帖子
帖子
博文
电子工程专辑
电子技术设计
国际电子商情
资料
白皮书
研讨会
芯语
文库
首页
分类
专题
技术白皮书
电子杂志
帮助
创建专题
上传文档
我的上传
我的下载
我的收藏
登录
下载首页
分类
专题
技术白皮书
帮助
面包板社区
博客
论坛
E币商城
面包芯语
帖子
帖子
博文
资料
资料
专题
热门搜索:
python
HarmonyOS
嵌入式
电源
C语言
华为
电子竞赛
单片机
PCB
技术类别:
全部
基础知识
电源/功率
PCB
单片机/嵌入式
FPGA
模拟/数字
消费电子
处理器/DSP
传感器
测试测量
物联网
通信/RF/网络
接口/内存/显示
软件/EDA/IP
工业/医疗
汽车/安防
采购/供应链/管理
AI/机器人/无人机
制造与封装
其他
资料属性:
全部
书籍
源码
原理图
电路图
综合文档
经验文摘
论文
教程与笔记习题
其他
消耗E币:
全部
免费
1-3
4-6
7-10
技术类别
资料属性
消耗E币
全部
基础知识
电源/功率
PCB
单片机/嵌入式
FPGA
模拟/数字
消费电子
处理器/DSP
传感器
测试测量
物联网
通信/RF/网络
接口/内存/显示
软件/EDA/IP
工业/医疗
汽车/安防
采购/供应链/管理
AI/机器人/无人机
制造与封装
其他
全部
全部
书籍
源码
原理图
电路图
综合文档
经验文摘
论文
教程与笔记习题
其他
全部
免费
1-3
4-6
7-10
按时间排序
按下载量排序
按文档大小排序
【STN4NF03L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:620.63KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:STN4NF03L-VB丝印:VBJ1322品牌:VBsemi参数:-N沟道-最大耐压:30V-最大漏电流:7A-静态导通电阻(RDS(ON)):25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs
STN4NF03LVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【IRFU5505PBF-VB】P沟道TO251封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:520.93KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
根据提供的型号和参数,以下是对该MOSFET型号IRFU5505PBF-VB的详细参数和应用简介:**型号:**IRFU5505PBF-VB**丝印:**VBFB2610N**品牌:**VBsemi*
IRFU5505PBFVB
沟道
TO251
封装
mos
datasheet
【AO8808A-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:384.31KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:AO8808A-VB丝印:VBC6N2014品牌:VBsemi参数说明:-**双N沟道:**该器件包含两个N沟道MOSFET,电流在N沟道中流动,适用于不同类型的应用,如电源开关等。-**工作电
AO8808AVB
2个
沟道
TSSOP8
封装
mos
datasheet
【STN4828-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:473.06KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:STN4828-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-2个N沟道-额定电压:60V-最大电流:6A-RDS(ON):27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压(Vgs)范围:
STN4828VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【MDD1951RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:400.05KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:MDD1951RH-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi参数:-N沟道-最大耐压:60V-最大电流:45A-开通态电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压:
MDD1951RHVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【AP4565GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:835.87KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
根据提供的型号和参数,以下是对该MOSFET型号AP4565GM-VB的详细参数和应用简介:**型号:**AP4565GM-VB**丝印:**VBA5325**品牌:**VBsemi**参数:**-沟
AP4565GMVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【CES2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:267.61KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:CES2301-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:-**P沟道:**该器件是一种P沟道MOSFET,电流在P沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。-**工作电压(VD
CES2301VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【NTF3055-100T1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:584.3KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NTF3055-100T1G-VB丝印:VBJ1695品牌:VBsemi参数说明:-N沟道-额定电压:60V-最大电流:4A-RDS(ON):76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压(Vg
NTF3055100T1GVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【SUD50P04-13L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:442.35KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:SUD50P04-13L-GE3-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi参数:-P沟道-最大耐压:-40V-最大电流:-65A-开通态电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(
SUD50P0413LGE3VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【25P03LG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:389.27KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:25P03LG-VB丝印:VBE2338品牌:VBsemi参数:-P沟道-最大耐压:-30V-最大漏电流:-26A-静态导通电阻(RDS(ON)):33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vg
25P03LGVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【LR120N-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:409.2KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
根据提供的型号和参数,以下是对该MOSFET型号LR120N-VB的详细参数和应用简介:**型号:**LR120N-VB**丝印:**VBE1101M**品牌:**VBsemi**参数:**-沟道类型
LR120NVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【SI2314DS-T1-E3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:284.11KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:SI2314DS-T1-E3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-**N沟道:**该器件是一种N沟道MOSFET,电流在N沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。-**
SI2314DST1E3VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【IRFZ24SPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:694.77KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:IRFZ24SPBF-VB丝印:VBL1632品牌:VBsemi参数说明:-N沟道-额定电压:60V-最大电流:40A-RDS(ON):23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压(Vgs)范
IRFZ24SPBFVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
【NTGS3136PT1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:391.11KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NTGS3136PT1G-VB丝印:VB8338品牌:VBsemi参数:-P沟道-最大耐压:-30V-最大漏电流:-4.8A-静态导通电阻(RDS(ON)):49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
NTGS3136PT1GVB
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【AP4953M-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:641.15KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
根据提供的型号和参数,以下是对该MOSFET型号AP4953M-VB的详细参数和应用简介:**型号:**AP4953M-VB**丝印:**VBA4338**品牌:**VBsemi**参数:**-沟道类
AP4953MVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【MMSF7P03HDR2G-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:475.76KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:MMSF7P03HDR2G-VB丝印:VBA2333品牌:VBsemi参数说明:-**P沟道:**该器件是一种P沟道MOSFET,电流在P沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。-**
MMSF7P03HDR2GVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【IRLMS2002TRPBF-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:422.96KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:IRLMS2002TRPBF-VB丝印:VB7322品牌:VBsemi参数说明:-N沟道-额定电压:30V-最大电流:6A-RDS(ON):30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源电压(Vgs
IRLMS2002TRPBFVB
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
... 71
/ 71 页
下一页
点击登录
全站已有
276086
份文档
上传我的文档
热门资料
基础知识
电源/功率
PCB
单片机/嵌入式
FPGA
模拟/数字
处理器/DSP
传感器
测试测量
通信/RF/网络
软件/EDA/IP
采购/供应链/管理
立即报名:IIC Shanghai 2025展会暨研讨会
【直播】可替代采样电阻的电流传感器技术
详解状态监控系统的数据采集技术
一次集齐!热门下载资料Top100
推荐白皮书
1
【数据手册】ADBMS1818
2
电源监控器基础及方案设计
3
智能楼宇工业以太网设计方案
4
IO-Link工业智能工厂传感器的设计考虑因素
5
定制连接器的创新解决方案
6
优化机器人性能的创新连接器技术
7
面向高性能伺服驱动器的可持续运动控制解决方案
8
揭秘支持现代工业4.0的制造执行系统 MES
热门专题
1
常用封装尺寸资料
2
单片机管理技术
3
一次集齐!2023热门下载资料Top100
4
单片机管理技术
5
电源资料
6
DSP控制资料的介绍
7
关于嵌入式开发必备的综合性资料
8
关于CPLD及EDA设计资料集合
下载排行榜
本周
本月
本年
用户贡献榜
本周
本月
本年
EE直播间
更多
精准捕获瞬态信号,掌控复杂射频环境 – 实时频谱分析与录制回放
直播时间: 04月10日 10:00
利用高性能源表和强大的软件, 实现半导体参数的测试和分析
直播时间: 04月17日 10:00
在线研讨会
更多
MAXQ™ Power转换器架构:性能零浪费
多物理场仿真在半导体制程中的应用
迈来芯新一代经济型热成像技术:赋能电力电子过热保护与智能应用温度监控
ADI 应用于电池管理系统 (BMS) 的电芯监测解决方案
上传
本网页已闲置超过10分钟,按键盘任意键或点击空白处,即可回到网页
X
最新资讯
蒋尚义评英特尔从“王者”到“Nobody”,与成熟工艺代工企业合并是“绝配”
RIGOL高速伺服激光加工系统MIPI D-PHY一致性测试
电力电子科学笔记:利用回旋共振测量电子和空穴的有效质量
全球AI算力的增长,正掀起太阳能光伏“新基建”热潮
小企业+低成本模式:欧洲边缘AI能否弯道超车中美?