在上篇内容中，我们谈到：在数百KHz的频率下，纳米晶的涡流损耗是可以低于铁氧体的，能用来设计高频变压器。但在我们的实际工作中，纳米晶用于高频变压器的案例却是不多，这是为什么呢？我们先看看留言：回顾纳米晶材料的发展史，它是20世纪70年代才问世的一种新型材料，前期由于成本高昂在商业化方面应用不多，只是随着近年来高频技术的发展而得到应用。留言提到的开关器件频率，确实是重要的一方面。虽然第三代半导体（碳化硅和氮化镓）在高频领域取得了一定的进步，但其成本高昂、工艺复杂，目前仅用于高端场合，离大规模的应用还有很长的路要走。纳米晶材料硬度高、加工延展性差，切割或叠片时易产生微裂纹，目前只适合加工成环形。而对于高频变压器来说，往往有多个绕组，环形变压器在安规方面难以满足要求。其次，环形形状单一，无法满足高频变压器多场景下的设计需求。另外，纳米晶材料发展时间短，工艺远远没有铁氧体成熟，不良率偏高，导致成本偏高。除此之外，纳米晶含稀有金属（如Nb、Cu），需快速凝固制备，工艺处理难度高，进一步拉升了纳米晶材料的价格。与铁氧体相比，虽然纳米晶材料在某些方面性能更加优异，但价格往往是铁氧体的3~5倍，综合对比下来，性价比偏低，这是制约纳米晶应用在高频变压器的一大重要原因。而对于某些电感，应用纳米晶材料，则可以一定程度上减少绕制圈数，从而降低工艺成本铜线材料成本，因而得到一些应用。综合来看，目前纳米晶很少用于高频变压器的原因包括：性价比低、加工性差、工艺复杂且不成熟、受限开关器件频率。但开关技术的高频化已是趋势，纳米晶材料技术也会不断突破。或许在不远的将来，纳米晶材料有机会可以更加广泛地应用在高频变压器上。最后，回答粉丝的问题：纳米晶磁导率那么大，其余工况一致的话，岂不是气隙会开的很大？从某种程度上讲，似乎没问题。但是我们要明白：变压器开气隙的目的是为了防止饱和，而我们知道纳米晶的饱和磁通密度为1.3T左右，而铁氧体的饱和磁通密度只有0.4~0.5T左右。相比铁氧体来说，纳米晶更加不容易饱和。不容易饱和，是不是不需要那么大的气隙呢？这么来看，得出的结论是不是不同了呢？