【构思】交流调压的方式有很多：自耦变压器调压（价格较高、体积大、难维护），RC调压（功率低、安全性差），变频器调压（价格昂贵、对外干扰大、大材小用），基于电力电子元件的调压（成本低，体积小，现场制作快）。基于以上各类交流调压方式的优缺点，选择电力电子元件进行电路构思。

首先想到的是，交流回路串入双向可控硅可非常方便地控制交流电压，其工作原理类似于开闸泄水，闸的开度越大则水越大，反之越小。于是有下图的初步构造：

为使双向可控硅（也叫晶闸管，但总感觉是叫“精扎管”，因此不喜）有条件地导通，从而调节施加给负载的电压，接下来要精心设计双向可控硅（上图U1）的触发电路。我们知道，双向可控硅的工作原理是：当可控硅的主电极T1，T2之间有一定压差（依具体管子参数）时，如果给门极G一个脉冲，可控硅将导通，我们不妨利用RC充电电路来实现可控硅的导通条件（电容电压达到可控硅的触发门限，且T1T2间压差超过某一阈值）。双向可控硅的关断条件：T1，T2之间压差接近零（正弦波零点附近），且门极G无电流（无电压）。关断条件中的过零好办，正弦波的零点自动会到来，而要是G极电压在正弦波过零点的时候刚好为零，这有点难，要有过零检测电路才行。为尽量使电路简单，想到一个巧妙的办法：当双向可控硅导通后，T1与T2相当于短接，进而短接RC（电容上的电荷已在前面触发时放完），使门极G在可控硅导通期间一直没有电压，只要坐等正弦波零点的到来即可关断可控硅。因此，RC电路必须与T1T2并联——再次强调，这非常巧妙，应仔细体会这个设计思想。说了这么多，可用下图表示成果：

上面的电路并非尽善尽美，为了有效控制触发门限（防止误触发），应在门极G之前增加一个双向二极管（交流，当然用双向的管子）。如下图：

为方便调节电压，应增加一个电位器调节RC充电时间，从而控制到达触发门限电压的时间，这相当于改变了可控硅的导通时间。示意如下图：