整流二极管作用中的反向性
网络整理 2021-10-22

整流二极管参数

(1)平均整流电流IF:指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。

(2)反向工作电压VR:指二极管两端允许施加的反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二极管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V,1N4007的VR为1000V。

(3)反向电流IR:它是二极管在反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好。

(4)击穿电压VB:指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。

(5)工作频率fm:它是二极管在正常情况下的工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率超过fm,则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流,如开关电源中。

(6)反向恢复时间trr:指在规定的负载、正向电流及反向瞬态电压下的反向恢复时间。

(7)零偏压电容CO:指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA,而在100°C时IR则变为小于500uA。

整流二极管有什么用

整流二极管的作用

整流二极管的作用具有明显的单向导电性。整流二极管可采用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的作用可以有效的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能优良。整流二极管的作用是利用PN结单向导电特性,把交流电转变成脉动直流电。整流二极管的电流较大,大多采用面接触性料封装。那么整流二极管的作用主要有哪些呢?下面就是小编对于整流二极管的作用的具体介绍。

整流二极管的作用为突出的就是其正向性,整流二极管外加正向电压时,正向特性起始部分中的正向电压很小,不能有效的克服PN结内电场的阻挡作用,当整流二极管的正向电流几乎为零,这一段称为死区,不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当整流二极管正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被有效克服,整流二极管的正向导通,电流随电压增大而快速上升。在正常的电流范围内,导通时整流二极管端电压几乎维持不变。

整流二极管的作用中的反向性,是当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时,通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流。由于整流二极管的作用反向电流很小,整流二极管处于截止状态。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多,小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗整流二极管在μA数量级。当整流二极管温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目也会增加。

整流二极管的作用中的反向击穿,反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下,整流二极管因势垒区宽度很小,反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构,使电子脱离共价键束缚,产生电子空穴,整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时,外加电场会使电子漂移速度加快,从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子空穴对。

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