2N7002是N极性MOS管，2N7002主要参数为：正向跨导-最小值: 0.08 S、Vds-漏源极击穿电压: 60V、Id-连续漏极电流: 115mA、Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms、Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V、Pd-功率耗散: 200 mW、封装: SOT-23-3、引脚数3。2N7002是切换应用程序的MOS管。

2N7002基本描述：

2N7002是N通道增强模式场效应晶体管使用飞兆公司专有的高电池密度DMOS技术生产。这些产品被设计成减小通态电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于要求直流高达400mA的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。这些产品特别适用于低电压，小电流应用，如小型伺服电机控制，功率MOSFET门驱动器，和其他开关应用。

2N7002是N极性MOS管，2N7002主要特征：

•高密度电池设计，低RDS(ON)

•电压控制小信号开关

•坚固可靠

•高饱和电流能力

2N7002引脚图及电路图：

2N7002经典开关电路：

2N7002中文参数资料：

制造商: ON Semiconductor

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

晶体管类型: 1 N-Channel

正向跨导-最小值: 0.08 S

Vds-漏源极击穿电压: 60V

Id-连续漏极电流: 115mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.2Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55°C

最大工作温度: + 150°C

Pd-功率耗散: 200 mW

封装: SOT-23-3

高度: 1.2 mm

长度: 2.9 mm

宽度: 1.3 mm

单位重量: 31 mg

2N7002代替型号：

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