NMOS低电平不导通，高电平导通；PMOS相反。R1用于偏置，加速栅极电位变化。MOS管栅源间为电容，充电时电流先多后少。被动打开时加电阻控制开启关闭速度。分压器电路需谨慎设计。

MOS管究竟是如何驱动的？左边是NMOS，右边是PMOS，我们以两者的驱动电路来区分。对NMOS来说，当Ctrl In输出低电平，NMOS不导通，当输出高电平时NMOS就会导通。对PMOS来说，当输出低电平时，PMOS导通，当输出高电平时PMOS则关闭。两者的区别在于，NMOS的使能电压是以GND为参照的，PMOS则是以VDD为参照。
这里的R1可以加也可以不加，主要是起到一个偏置作用。对于NMOS，当输出高电平到低电平时，下拉R1到GND，栅极能够更快被拉低，固定到GND，进行可靠的关闭。同理对于PMOS，当输出低电平到高电平时，上拉R1到VDD，栅极能够更快被拉高，随后固定在VDD，最后关闭。理解了最基本的驱动电路，我们可以来将这个电路升级一下。MOS管的栅源极之间可以充当电容器，在MOS管处于稳态的情况下，当电容器充电时，电流流经在一开始会比较多，随后越来越少，当电容器充满电后，就没有电流流经了。但是如果MOS管是处于被动打开的情况下，电流给栅源极充电的这一小段时间内，栅极内会有大量的电流流动。为确保这个过程，就需要再加一个电阻了，这个电阻越高，MOS管的开启和关闭速度就越慢。反之则越快。此外还有一种情况，栅极电阻放在下拉电阻的左边，这就是一个分压器电路了。但是如果它们的值比较相近，栅极电压就会低于Ctrl in电压，影响MOS管的开启，所以放在R1左边最好。