我们你都知道，电阻可以用来串联，也可以用来并联。那么，二极管适合串联和并联吗？
一、二极管串联
二极管串联时，需要注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。
在静态时，由于串联各元件的截止漏电流具有不同的制造偏差，导致具有最小漏电流的元件承受了最大的电压，甚至达到擎住状态。但只要元件具有足够的擎住稳定性，则无必要在线路中采用均压电阻。只有当截止电压大于1200V的元件串联时，一般来说才有必要外加一个并联电阻。
以上Vm是串联电路中电压的最大值，△Ir是二极管漏电流的最大偏差，条件是运行温度为最大值。我们可以做一个安全的假设：
上式中，Irm是由制造商所给定的。利用以上估计，电阻中的电流大约是二极管漏电流的六倍。
经验表明，当流经电阻的电流约为最大截止电压下二极管漏电流的三倍时，该电阻值便是足够的。但即使在此条件下，电阻中仍会出现可观的损耗。
原则上，动态的电压分布不同于静态的电压分布。如果一个二极管pn结的载流子小时得比另外一个要快，那么它也就更早地承受电压。
如果忽略电容的偏差，那么在n个给定截止电压值Vr的二极管相串联时，我们可以采用一个简化的计算并联电容的方法：
以上△QRR是二极管存储电量的最大偏差。我们可以做一个充分安全的假设：
条件是所有的二极管均出自同一个制造批号。△QRR由半导体制造商所给出。除了续流二极管关断时出现的存储电量之外，在电容中存储的电量也同样需要由正在开通的IGBT来接替。根据上述设计公式，我们发现总的存储电量值可能会达到单个二极管的存储电量的两倍。
一般来说，续流二极管的串联电流并不多见，原因还在于存在下列附件的损耗源：
1、pn结的n重扩散电压;
2、并联电阻中的损耗；
3，需要由IGBT接替的附加存储电量；
4、由RC电路而导致的元件的增加。
所以在高截止电压的二极管可以被采用时，一般不采用串联方案。
唯一的例外是当应用电路要求很短的开关时间和很低的存储电量时，这两点正好是地奈亚二极管所具备的。当然此时系统的通态损耗也会大大增加。
二、二极管并联
二极管并联，并不需要附加的RC缓冲电路。重要的是在并联时通态电压的偏差应尽可能小。
在典型的并联应用中，这是一个优点，其原因在于，较热的二极管将承受较低电流，从而导致系统的稳定。因为二极管总是存在一定的制造偏差，所以在二极管并联时，一个较大的负温度系数（＞2mV/K）则有可能产生温升失衡的危险。
1.在多个芯片并联的模块中通过基片；
2.在多个模块并联于一块散热片时通过散热器。
一般对于较弱的负温度系数来说，这类热偶合足以避免具有最低通态电压的二极管走向温度失衡。但对于负温度系数值＞2mM/K的二极管，我们则建议降额使用，即总的额定电流应当小于各二极管额定电流的总和。
0
