肖特基二极管常见型号
网络整理 2021-08-03

肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。

作用还是整流,其优势是正向压降低,反向恢复时间快,所以整体损耗会比其他的二极管低很多。B5819W为集电极电流1A 基极电压40V的贴片肖特基管,1N5819为参数相同的插件式肖特基管,两个管只是封装不同。简单来说就是一个是贴片的 一个是插接件式的。

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,

只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。

肖特基二极管特性及型号

肖特基二极管特性

1、肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多,所以自身功耗较小,效率高。

2、由于反向电荷恢复时间极短,所以适宜工作在高频状态下。

3、能耐受高浪涌电流。

4、以前的肖特基管反向耐压一般在200V以下,但现在技术可以做到高达1000V的产品,市场应用前景十分广阔。

5、目前市场上常见的肖特基管结温分100℃、125℃、150%、175℃几种(结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效)。

肖特基二极管常见型号

1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与 PN 结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N 外延层(砷材料)、N 型硅基片、N 阴极层及阴极金属等构成。

在 N 型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N 型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。

肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。

采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。

常用的有引线式肖特基二极管,1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。

肖特基二极管型号大全

封装SMA:SS12、SS13、SS14、SS15、SS16、SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36

封装SMB:SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、SS36M7、SB240-SR260、SR2100、SR340-SR360、SR3100、SR540-SR560、SR5100、1N4007、1N5819

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