IGBT管的功耗主要是以下三个：

1、通态损耗Ps。大体来讲，通态损耗等于集电极电流和IGBT管饱和压降的乘积即：Ps=Ic*Uces。

Ps-通态功耗，单位W

Ic-集电极电流，单位A

Uces-IGBT饱和压降，单位V

2、开关损耗。IGBT管每次开通和关断都会损耗一定的功率。开通损耗Pon和关断损耗Poff都和集电极电流和IGBT管温度有关。一般来讲，温度越高，集电极电流越大，则开关损耗越大。如下图：

IGBT开通损耗

IGBT关断损耗

3、续流二极管的损耗Pd。与IGBT反并联的续流二极管也会产生一定的损耗，其大小与通过续流二极管的平均电流Id成正比。