N沟道增强型MOS管

1．构造

绝缘栅型场效应管的构造表示图如图2-34所示。

2．N沟道增强型MOSFET

1)N沟道增强型MOSFET的导电沟道的构成

N沟道加强型MOSFET的沟道构成及符号如图2-35所示，其中图2-35 (a)所示是在一块杂质浓度较低的P型半导体衬底上制造两个高浓度的N型区，并分别将它们作为源极s和漏极D，然后在衬底的外表制造一层Si02绝缘层，并在上面引出一个电极作为栅极G。图2-35(b)所示是其在电路中的符号。

2)N沟道加强型MOSFET的特性曲线

转移特性曲线

N沟道加强型MOSFET的转移特性曲线如图2-36所示。

式中，UT为开启电压（或阈值电压）；μn为沟道电子运动的迁移率；Cox为巾位面积栅极电容；W为沟道宽度；疋为沟道长度；W/L为MOSFET的宽长比。在MOSFET集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。

输出特性曲线

N沟道MOS管的输出特性曲线如图2-37所示。与结型场效应管的输出特性相似，它也分为恒流区、叮变电阻区、截止区和击穿区。其特性如下所示。

①截止区：UGS≤UT，导电沟道未构成，iD=0。

②恒流区：

·曲线距离平均，UGS对iP的控制才能强；

·UDS对iD的控制才能弱，曲线平整；

·进入恒流区的条件，即预灾断条件为UDS≥UCS-UT。