行业覆盖

半导体Semiconductor

平板显示 Flat Panel

发光二极管 LED

硬盘Storage & Peripheral

电子元器件Electronics Components

设备厂商Equipment Manufacturer

研究机构及大学院校 Research Institute & University

分析领域

CVD PVD镀层分析

MOCVD 量子阱

ALD， BME原子层

金属电镀结构

光刻膜形貌 Lithography

离子注入 Ion Implantation

离子扩散 Ion Diffusion

微量元素分析

表面有机/无机污染物

表面粗糙度 Surface Roughness

有机基体分析 Organic substrate

打 线 Wire Bonding

电性测试 Electrical Testing

分析

失效重现: Electrical, Optical, Environmental, Mechanical

封装级分析: X-Ray, CSAM, TDR, Thermal

封装开封: Decapsulation, De-lid

电性失效分析

失效定位: EMMI, OBIRCH, Thermal

芯片线路修改 & 显微探针检测

纳米探针检测: CAFM, AFP

物性失效分析

去层: RIE, Chemical, CMP

SEM, DB-FIB, HR-TEM

Ion Milling, Spectroscopic Ellipsometer

材料分析

表面分析: TOF-SIMS, XPS, Auger

近表面分析: D-SIMS, EDX, FTIR

基体分析: ICP-MS, XRD, XRF, TGA

静电测试

HBM/MM

Latch up

TLP

材料分析

电性失效分析

光学显微镜检测

电性 I-V 测试

封装级定位TDR/Thermal Imaging

封装化学开封/截面分析

芯片内部失效定位 EMMI/TIVA/OBIRCH

芯片去层

PVC/CAFM

p-n结化学染色

晶圆缺陷

物性失效分析

芯片线路修改

世界先进的芯片线路修改技术:

协助客户在3天内完成线路修改和电学测量,是重新流片效率的20倍

可实现多次修改及验证

可实现封装芯片的线路修改及再验证

大大降低芯片改版成本

Yxlon 3D X-Ray系统(工业CT)

应用领域分类

电子元器件、集成电路封装、线路板等内部位 移及焊接缺陷等分析

胶封零件、电缆、装具、塑料件、汽车及航空零部件内部情况分析

3D X-Ray性能参数

检测范围 460x410 mm

样品最大尺寸 800x500 mm

倾斜角度±72.5º

射线管功率64W

射线管的靶功率高达10瓦

用高功率靶材，可达到15W靶功率

Yxlon专利EXI开管

Quick Scan功能

标准检测分辨率＜500纳米

几何放大倍数2000倍，最大放大倍数10000倍

进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)

BGA和SMT（QFP）自动分析软件，空隙计算软件，通用缺陷自动识别软 件和视频记录

16~64位实时图像处理

静电测试

人体放电模式 (HBM) / 机器放电模式 (MM) /电性栓锁测试 (Latch up)

充电放电模式 (CDM)

传输线脉冲 (TLP)

100 ns模拟人体放电模式脉冲以评估器件的静电特性

可应用于模块级及芯片级

超快传输线脉冲 (Very-Fast TLP)

1 - 10 ns 模拟充电放电模式脉冲以评估器件的静电特性

可应用于模块级及芯片级

材料结构分析

材料表面分析

Surface Material

XPS

TOF-SIMS

D-SIMS

Auger

AFM

FTIR

Raman

ICP-MS

GC-MS

IC

TGA/DSC

动态二次离子质谱D-SIMS

检测灵敏度：ppb-ppm

深度分析：20um

Cameca IMS 7f Auto  The first one in the world!!

飞行时间离子质谱 TOF-SIMS

检测灵敏度: ppm

全元素周期表质谱分析;

有机质谱分析

表面1nm和深度10um

光谱椭偏仪

光谱椭偏仪的精度和速度完美结合 覆盖从深紫外到近红外的整个光谱 范围测量，适合大范围的应用，实 现快速质量控制过程的实时监控， 现场控制，均匀性的映射等等。

光谱范围：波长193~1000nm，500nm波长下，1.6nm像素解 析度，5nm带宽，测试时间2-5s。

光束直径：2mm～5mm，根据模型和配置。

光束发散角：小于0.3（无聚焦）。

3D X-Ray应用介绍

3D X-Ray应用介绍-芯片封装

3D X-Ray应用介绍-Wire Bonding

IC 整体观察

裂键观察

楔键倾斜观察

最大倍率自上到下楔形键合金属

线的观察

堆叠芯片的观察

3D X-Ray应用介绍-焊接检查

自动计算芯片贴敷孔隙率

手动和自动区域检测

通过/失败的信息提示

3D X-Ray应用介绍-元器件、PCBA及IC Package

元器件2维图像

元器件3维重构

多层板的横截面

3D X-Ray应用介绍-Chip Level

3D X-Ray应用介绍-LED

3D X-Ray应用介绍-多层PCBA检测

3D X-Ray应用介绍-连接线断裂的案例

D X-Ray应用介绍-贵重饰品

微焦点计算机断层扫描技术- µCT

微焦点计算机断层扫描技术- µCT

In-Cell TFT-LCD结构分析

TFT-LCD结构分析

TFT-LCD模组结构厚度

LTPS TFT

TEM on 标准尺寸

TEM on LTPS最小尺寸（TEM-1）

TEM on LTPS最小尺寸（TEM-2）

TFT Poly Si

LTPS晶粒大小和取向

CF结构

TFT-CF玻璃裂纹

COG/FOG分析

COG导电粒子交界面

FOG导电粒子元素 成分分析

半导体芯片失效分析

双束聚焦粒子束FIB

封装芯片I-V电性分析

“Short” I-V curve when probe  with reported failing pins (AF17) wrt GND/ VCC pin.

ESD失效热点分析

VID[2] (AE17) vs VDD: Bias at constant current of 10uA

ESD失效-微观结构分析

3维结构分析分析

平面TEM加截面TEM分析

Solar芯片分析

Failure Analysis

Solar Cell

FIB定位结构分析

Solar Cell

LED封装分析

LED芯片封装分析

大区域LED封装截面分析，并对其中荧光粉、键 合、芯片进行分析。

LED封装焊接凸点的截面分析，可检测微裂纹、分 层、空洞等封装失效。

LED银线TEM分析过程

银线-金pad晶粒IMC分析

银线TEM EDX 线扫

银线TEM-EDS 点分析

银线TEM and STEM 图像

污染物分析

TFT 样品污染物分析

1 分析沙状defect的成分及来源。

2 Cut at location1

TEM-EDX 分析

Cu signal is from sample grid

Ce 污染，来自于研磨液。

表面有机污染物分析

TOF SIMS 适合有机污染物源的比对分析

(a) 受污染芯片表面

(b) 可疑污染源-胶带

表面有机污染物分析

光谱椭偏仪

光谱范围：波长193~1000nm，500nm波长下，1.6nm像素解 析度，5nm带宽，测试时间2-5s。

光束直径：2mm～5mm，根据模型和配置。

光束发散角：小于0.3（无聚焦）。

光源：M2000D——卤素灯/氘氘

自动角基地

入射角：44 - 90°

精度：±0.02°

重复性：＜0.005°

样品架：

自动Z轴高度：

最大样品尺寸：300mm直径。

最大样品厚度：20mm

SiO2典型的重复性（2nm）/ Si

三十反复直空束测量；每个区的平均十秒的平均；

测量样品半透明及透明膜厚。