施加在栅极上的电压由氧化物和半导体分担
21ic 2025-01-08

氧化物分担的电压与半导体中的总电荷有关,


阈值电压指施加在栅极上使半导体进入强反型时对应的电压


将方程式带去得


简化得


由上式可得,阈值电压与氧化物的厚度成正比,与掺杂浓度的平方根成正比

实际中,阈值电压与两方面的因素有关

1 栅电极和半导体不相等的功函数

由于功函数差可以在表面产生空间电荷区,导致表面势产生变化,从而改变阈值电压

2 氧化物中存在电荷

氧化物中的电荷可以分为4种,1)可移动电荷,主要是碱金属离子,来自清洗剂,2)氧化物中缺陷引入的陷阱电荷,3)位于半导体表面由于不完全氧化引入的固定电荷,这些电荷在器件工作过程中并不能充电放电,4)由于半导体晶格突然终止,引入的界面电荷,这些电荷在器件工作中与半导体发生充电和放电,这些电荷与半导体表面取向和氧化条件有关。

氧化物电荷的存在同样可以使得阈值电压降低,假设所有的电荷位于金属氧化物界面处,则阈值电压可以由下式获得


为了避免栅极总线在施加偏压时下方形成反型层,需要使用场氧化物厚度大于600nm 。

声明: 本文转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们及时删除。(联系我们,邮箱:evan.li@aspencore.com )
0
评论
  • 相关技术文库
  • 封装
  • 工艺
  • 光刻
  • SMT
下载排行榜
更多
评测报告
更多
广告