开关电路在单片机电路设计中经常用到,一般有两个作用,一是电平的转换,二是增加单片机IO口的驱动能力。虽然这个电路很简单,也很常用,但是我发现还是有些人电路结构错误或者参数不会设置。
电路结构如图1所示,三极管开关电路基本结构由基极电阻,集电极电阻(负载)组成。

图2 带下拉电阻的开关电路如果我们想驱动无源蜂鸣器,那么就要在控制端输入一个方波信号进行控制,这时候就需要三极管进行快速切换,想加快三极管切换速度就要如图3所示,在Rb上并联一个加速电容。

图3 带加速电容的三极管开关电路其原理是,电容两端的电压不能发生突变,那么控制端给一个高电平的瞬间,电容可以视为短路,此时的电流最大,因此加快了三极管的导通速度,这个暂态过程很快就结束了,电容充电完成后进入了稳态,电容就形如开路,而不影响电路的正常工作。由于电容在控制端高电平期间充了左正右负的电压,当控制端变成低电平(0V)瞬间电容两端的电压不能突变,所以在电容的右端出现了负电压,加快了三极管的关断。大多数情况下,加速电容取值约为几百个pF。为什么加了加速电容就能实现加快关断与导通,那是因为三极管是存在结电容的,导通与关断时间是决定于结电容的充放电时间的,这个现象就叫米勒效应,加了加速电容后,就加快了结电容充放电时间,使得三极管很快跨越了米勒平台,所以能加快三极管的关断与导通。参数计算三极管的开关状态就是三极管的饱和与截止,三极管的截止容易实现,只要将IB降为O就可以实现三极管的截止。而三极管的饱和没有截止那么实现,开关电路的计算就是在计算三极管进入饱和的参数。要想进行计算,那么就要了解三极管的饱和特性。1. 如何判断饱和?一是三极管发射结和集电结正偏,基极电流变化,集电极电流几乎不变。饱和条件:1.集电极和电源之间电电阻越大越容易饱和;2.基极电流比较大以使得集电极的电阻上分得的电压越大,集电极电压就被拉低,而出现Ub大于Uc的情况。影响饱和的因素:1.集电极电阻的大小(负载);2.放大倍数的大小;3.基极电流的大小。饱和的现象:1.基极电压大于集电极电压;2.Uce为0.5V左右,越小饱和越深。临界饱和条件:Ib=(Vcc/RL)/β知道这些概念后,我们就知道怎么去计算参数了。首先我们在设计前期我们应该知道负载一些参数,如电压电流。负载需要的电流就是设计的关键,通过负载电流求得Ib,此时的Ib是三极管临界饱和的值,一般我们要取数倍才能保证三极管进入深度饱和。然后根据控制端的电压减去Ube(0.7V)除以Ib就可以得到Rb。电路设计






图8 电路仿真通过,仿真我们发现我们计算的参数已经使得三极管进入了深度饱和,因为Uce=92mV,满足深度饱和条件。但是IC没有达到15mA,那是因为我们忽略了Uce的存在而导致的偏差,但是这一点偏差不影响开关电路的正常工作,可以接受。