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电子知识打边炉 2024-7-6 10:23: 原创制造工艺第007篇助焊剂成分之——酸; 助焊剂（Flux）是一种在焊接时使用的辅料，是酸、涂层材料和溶剂的混合物。助焊剂规格书里有一些描述会误导用户，需要 ...; 827 7 1 3

电子知识打边炉 2024-6-30 01:00: 原创制造工艺第006篇可焊性; 可焊性应该从定量角度去理解。IPC术语中，“可焊性”对应Solderability 这个英文单词，意思是“The ability of a metal to be wetted ...; 604 7 0 7

DrouSherry 2024-6-25 22:56: 原创《芯片封测从入门到精通》封测行业的入门手册; 我所修主科是 PVD磁控溅射镀膜，是封测上一道工序。对于封测有粗略了解。目前封测行业头部企业大部分是台韩 ...; 1103 4 1 2

电子知识打边炉 2024-6-25 22:07: 原创制造工艺第005篇氧化; 金属原子遇到氧会立即发生氧化反应，生成金属氧化物（MO，Metal Oxide）。氧元素单质（氧气）在环境中广泛存在。氧的化学活泼性仅次于氟 ...; 595 5 0 5

电子知识打边炉 2024-6-24 21:38: 原创制造工艺第004篇合金焊料润湿和IMC; 润湿（Wetting）是焊接发生的第一步。液态焊料在要焊接的表面上流动称为润湿。如果液态焊料不能在表面流动，聚成团或者球，称为不润湿 ...; 414 9 0 9

电子知识打边炉 2024-6-22 23:31: 原创制造工艺第003篇合金焊料熔点; 合金的熔点低于金属单质。下表是一些电子行业使用的合金焊料的熔点。每种合金都有从固态变为液态的温度。从固态到液态 ...; 546 5 0 5

电子知识打边炉 2024-6-22 12:33: 原创制造工艺第002篇怎样选择助焊剂; PCBA的洁净度影响其长期可靠性。为满足洁净度要求，需要重视PCBA组装过程中每一个会在PCBA上留下残留物的材料和工艺。 ...; 669 6 0 6

电子知识打边炉 2024-6-21 22:03: 原创制造工艺第001篇助焊剂分类标准; 最近参加PCBA组装工艺失效模式和影响分析（PFMEA），密集学习了一些PCBA洁净度方面的知识，准备用几篇笔记来整理。助 ...; 1399 9 0 9

陇南有只大花猫 2024-6-19 14:00: 原创《芯片封测从入门到精通》+试读感受; 首先介绍一下我的职业是硬件开发工程师，接触到芯片类的工作基本都是应用端和厂商的FAE居多。对于芯片的流程只是网上稀松的科普和简单介绍（毕竟专业性很强，而 ...; 794 3 0 3

芯片封测

田鑫网络 2024-5-31 14:32: MPLS协议的工作原理; MPLS（多协议标签交换）是一种在IP骨干网上利用标签来指导数据报文高速转发的协议。让我用通俗的语言来解释一下它的基本原理。想象一下你寄快递的过程：每个 ...; 411 6 0 6

MPLS IP地址标签交换技术 MPLS协议的工作原理

电子知识打边炉 2024-5-8 22:07: 原创故障诊断第001篇电连接器焊后导电性不良; 问题概要一种常用的SMD插座（线到板，板端），回流焊后不良率 1%。不良品重新插拔连接线后再测试正常。失效模式用紫色 ...; 741 7 0 7

小英说半导体 2024-4-25 11:29: 原创通信——通过表面电荷操纵控制锗的蚀刻; 引言锗是下一代背面成像器的有希望的替代品，因为最近的同质外延生长已经产生了非常低的缺陷密度。锗的固有特性使其能够进行高速硬 X ...; 742 6 0 6

广电计量 2024-4-23 13:51: 技术科普 | 功率器件环境可靠性测试的加速老化物理模型; 高温栅偏（High Temperature Gate Bias，HTGB）、高温反偏（High Temperature Reverse Bias，HTRB）、高温高湿反偏（High Hu ...; 2008 8 0 8

功率器件失效分析 HTGB试验

Copper_Hou 2024-4-19 17:04: FPD TFT Array Fab都存在的静电导致产品不良的制程问题-TFT曝光工序; 当今所有的量产FPD（Flat Panel Display）产品前端生产工序都是TFT玻璃的生产，即将显示Panel上的显示像素TFT及驱动电路（统称TFT Array）。 FPD TFT Array制造 ...; 942 10 0 10

FPD TFT

小英说半导体 2024-4-9 11:20: 原创蚀刻过程中的蚀刻引起的物理损伤和污染; 引言高选择性氧化物蚀刻是成功制造下一代半导体器件的重要过程。为了实现这一目标，高密度等离子体源通常使用高 C/F比值气体和含氢气体的组合进行研究。 ...; 985 5 0 5

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