制造与封装-综合文档-消耗E币(4-6)资料下载

外延生长

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外延生长……

外延生长气相外延掺杂
工艺集成技术

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工艺集成技术……

工艺集成器件隔离亚微米
金属化工艺

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金属化工艺一、基本概念金属化第八章金属化工艺将晶片上制成的各种元器件用互连薄膜材料（通常为金属）的线条连接起来构成具有各种功能的集成电路的工艺。－－接触与互连为了将半导体器件与外部有效地联系起来，必须

金属化欧姆接触互连
微电子RTP

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微电子RTP微电子工艺技术课自学报告RTP工艺的应用及其前景微32班张煜磊刘洋成松源谌舟浪微电子工艺技术自学报告RTP工艺的应用及其前景快速热处理（RTP）作为现代先进半导体工艺中必不可少的一个环节，

微电子 rtp pn结
RTP

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RTP……

rtp 杂质再分布加热灯源
《扩散工艺》作业

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《扩散工艺》作业第二章《扩散工艺》作业1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为20分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在1100℃下做推进扩散。为获得4.0μm的结深，推

扩散工艺习题
微电子IC制造

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微电子IC制造……

微电子 ic制造圆片制造
刻蚀工艺

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刻蚀工艺……

刻蚀工艺品质因数 vlsi
第六章光刻工艺（上篇）

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第六章光刻工艺（上篇）问题？在同一集成电路制造流程中,经历了同样的一系列加工工艺后：如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、不同结构和尺寸的元件?如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得所要求的电路

光刻工艺图形转移掩膜版
化学气相淀积

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化学气相淀积xcl第五章化学气相淀积§1定义及反应方程式一、化学气相淀积定义：指使一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为“Chemic

化学气相淀积 cvd 化学平衡
离子注入

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离子注入xcl第四章离子注入工艺§1离子注入工艺设备及原理一．离子注入工艺设备结构2005-3-3012005-3-302图4.1离子注入机结构图4.2离子注入机原理图2005-3-3032005-3

离子注入射程核碰撞
扩散工艺原理

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扩散工艺原理第三章扩散工艺三、杂质扩散§1.扩散原理1.恒定表面源扩散扩散过程中，硅片表面杂质浓度始§2.典型工艺终不变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布§3.扩散方法为余误差函数

扩散原理杂质扩散扩散方程
整流二极管

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整流二极管……

整流二极管电气参数 1n
电力电子器件

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电力电子器件的最新发展|电力电子器件的最新发展||浙江大学电机系钱照明，陈辉明，吕征宇||||作者简介：||||钱照明：浙江大学电气工程学院教授，博士生导师。主要从事现代电力||电子器件及其相关应用技

电力电子功率晶闸管 IGBT
半导体物理学第4版

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半导体物理学第4版……

半导体
CH375 datasheet

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CH375datasheet，veryGood！CH375中文手册（一）１USB总线接口芯片CH375中文手册版本：3Ehttp://wch.cn1、概述CH375是一个USB总线的通用接口芯片，支持

ch375 usb
元器件封装规格大全

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各种尺寸元器件封装规格……

封装

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