理论上，MOSFET进入稳态导通状态时
以下情况才成立：

1.MOSFET导通电阻具有正的温度系数，可并联。

2.一个并联MOSFET温度上升，正温度系数导通电阻也增加，流过电流减小，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡。

3.一个功率MOSFET器件，其内部也是有许多小晶胞并联而成，晶胞导通电阻具有正温度系数，因并联工作没问题。

原因：开关转化瞬态过程中，以上即不成立。

功率MOSFET传输特征

MOSFET三区：关断区+饱和区+线性区。

线性区也叫三极区或可变电阻区，在这个区域，MOSFET基本上完全导通。

MOSFET工作在饱和区时，具有信号放大功能，栅极的电压和漏极的电流基于其跨导保持一定的约束关系，栅极的电压和漏极的电流的关系就是MOSFET的传输特性。

μn：反型层中电子的迁移率

COX：氧化物介电常数与氧化物厚度比值

W：沟道宽度

L：沟道长度

温度对功率MOSFET传输特征影响

MOSFET数据表中，典型传输特性，25℃和175℃两条曲线有一个交点，此交点对应着相应的VGS电压和ID电流值，VGS即转折电压。

VGS左下部分曲线

VGS电压一定时，温度越高，流过的电流越大，温度和电流形成正反馈，即MOSFET的RDS（ON）为负温度系数，可将这个区域称为RDS（ON）的负温度系数区域。

如下图所示

VGS右上部分曲线

VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越小，温度和电流形成负反馈，即MOSFET的RDS（ON）为正温度系数，可以将这个区域称为RDS（ON）正温度系数区域。

功率MOSFET内部晶胞的等效模型

在功率MOSFET内部，由许多单元即晶胞并联组成单位面积上，并联晶胞越多，导通电阻RDS（ON）就越小。
晶元面积越大晶胞越多，通电阻RDS（ON）越小。

单元的G极和S极由内部金属导体连接汇集在晶元的某一个位置，由导线引出到管脚，这样G极在晶元汇集处为参考点，其到各个晶胞单元的电阻并不完全一致，离汇集点越远的单元，G极的等效串联电阻就越大。

正是由于串联等效的栅极和源极电阻的分压作用，造成晶胞单元的VGS的电压不一致，从而导致各个晶胞单元电流不一致。

在MOSFET开通的过程中，由于栅极电容的影响，会加剧各个晶胞单元电流不一致。

功率MOSFET开关瞬态过程中晶胞的热不平衡

如下图所示

开通过程中，漏极电流ID在逐渐增大

离栅极管脚处晶胞单元的电压：离其近 > 离其远

即VG1》VG2》VG3 > …，VGS电压高单元，即离其近的流过电流小大，远则电流小。

距离最远地方晶胞可能没导通，因而没有电流流过。

电流大的晶胞单元，温度升高。

功率MOSFET内部等效模型

开通过程中VGS的电压逐渐增大到驱动电压，VGS电压穿越RDS（ON）负温度系数区域，

温度越高晶胞单元，因正反馈，流过电流会增大，晶胞单元温度再上升。

VGS在RDS（ON）负温度系数区域工作或停留的时间越长，晶胞单元就越有过热击穿的可能，造成局部的损坏。

如果VGS从RDS（ON）负温度系数区域到达RDS（ON）的正温度系数区域，没有形成局部的损坏，此时，在RDS（ON）的正温度系数区域，晶胞单元的温度越高，所流过的电流减小，晶胞单元温度和电流形成负反馈，晶胞单元自动均流，达到平衡。

在MOSFET关断过程中，离栅极管脚距离远的晶胞单元的电压降低得慢，容易在RDS（ON）的负温度系数区域形成局部的过热而损坏。

加快MOSFET开通和关断速度，使MOSFET快速通过RDS（ON）负温度系数区域，就可减小局部能量的聚集，防止晶胞单元局部过热而损坏。